[實(shí)用新型]一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420506637.3
• 申請(qǐng)日: 2014-09-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204067366U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王民安;黃富強(qiáng);項(xiàng)建輝;葉民強(qiáng);汪杏娟;王日新
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 安徽省祁門(mén)縣黃山電器有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 深圳市百瑞專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240
• 代理人: 楊大慶;葉綠林

1.一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括長(zhǎng)基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴(kuò)磷區(qū)N+，濃硼擴(kuò)散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結(jié)構(gòu)；其特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場(chǎng)弱的電壓槽結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求3所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有一級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽的底部寬度為250～700um，內(nèi)側(cè)壁臺(tái)階的寬度為150～600um，外側(cè)壁臺(tái)階寬度為100～400um，所述臺(tái)階面與短基區(qū)P2層上表面的高度差為30～70um。

6.如權(quán)利要求4所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽的底層寬度為400～800um，內(nèi)側(cè)壁第一級(jí)臺(tái)階寬度為150～500um，外側(cè)壁第一級(jí)臺(tái)階寬度為100～300um；內(nèi)側(cè)壁第二級(jí)臺(tái)階寬度為100～400um，外側(cè)壁第二級(jí)臺(tái)階寬度為100～200um；所述第二級(jí)臺(tái)階與短基區(qū)P2層上表面的高度差為40～70um，所述第一級(jí)臺(tái)階與第二級(jí)臺(tái)階的高度差為5～20um。

7.如權(quán)利要求5或6所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽的深度為過(guò)P₂N結(jié)伸入長(zhǎng)基區(qū)N20～70um。

8.如權(quán)利要求1所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽的內(nèi)表面設(shè)置有絕緣層，絕緣層上設(shè)置有玻璃鈍化層。