[實用新型]門極吸收抑制電路模塊

有效

• 申請號: 201420504686.3
• 申請日: 2014-09-03
• 公開（公告）號: CN204046405U
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 牛勇;張晉芳;陳宏;劉革莉;尹梅;趙一潔
• 申請（專利權）人: 永濟新時速電機電器有限責任公司
• 主分類號: H02M1/06
• 分類號: H02M1/06
• 代理公司: 太原科衛專利事務所(普通合伙) 14100
• 代理人: 朱源

1.一種門極吸收抑制電路模塊，其特征在于，包括上管IGBT門極吸收抑制電路和下管IGBT門極吸收抑制電路；所述上管IGBT門極吸收抑制電路包括過壓抑制電路和濾波吸收穩壓電路；所述過壓抑制電路包括單向過壓抑制二極管D1、D2、D3、快速二極管D4及電阻R3，所述D3的陰極與D2的陽極相連接，D2的陰極與D1的陽極相連接；D1的陰極與上管IGBT的集電極相連接；D4的陽極與D3的陽極相連接；R3與D4的陰極相連接；R3的另一端與上管IGBT的門極相連接；所述濾波吸收穩壓電路包括電容C1、C2、C3、C4、雙向穩壓二極管D7、D8以及電阻R1、R2；所述D7、R1、C1、C2分別連接在上管IGBT的門極和發射極之間，D8的一端與上管IGBT的門極相連接，D8的另一端通過R2與上管IGBT的發射極相連接；所述C3、C4的一端均與D8的另一端相連接；C3、C4的另一端均與上管IGBT的發射極相連接；所述下管IGBT門極吸收抑制電路包括過壓抑制電路和濾波吸收穩壓電路；所述過壓抑制電路包括單向過壓抑制二極管D11、D12、D13、快速二極管D14及電阻R13，所述D13的陰極與D12的陽極相連接，D12的陰極與D11的陽極相連接；D11的陰極與上管IGBT的發射極相連接；D14的陽極與D13的陽極相連接；R13與D14的陰極相連接；R13的另一端與下管IGBT的門極相連接；所述濾波吸收穩壓電路包括電容C11、C12、C13、C14、雙向穩壓二極管D17、D18以及電阻R11、R12；所述D17、R11、C11、C12分別連接在下管IGBT的門極和發射極之間，D18的一端與下管IGBT的門極相連接，D18的另一端通過R12與下管IGBT的發射極相連接；所述C13、C14的一端均與D18的另一端相連接；C13、C14的另一端均與下管IGBT的發射極相連接。

2.如權利要求1所述的門極吸收抑制電路模塊，其特征在于，所述上管IGBT門極吸收抑制電路和下管IGBT門極吸收抑制電路采用1700V等級PrimePACK封裝；PCB板焊盤上設有分別與IGBT上管的集電極輔助端子C、門極端子G和發射極輔助端子E相連接的端子C5、G4、E3端子以及分別與IGBT下管的門極端子G和發射極輔助端子E相連接的G1、E2端子，各端子之間通過螺栓和驅線束端子相連接。