[實用新型]一種聚焦圓環(huán)及刻蝕反應腔

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420503058.3
• 申請日: 2014-09-02
• 公開（公告）號: CN204243008U
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發(fā)明（設計）人: 鄧必文;呂煜坤;朱駿;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術領域

本實用新型屬于半導體領域，尤其涉及半導體中干法刻蝕反應腔中的聚焦圓環(huán)及刻蝕反應腔。

背景技術

在半導體行業(yè)，干法刻蝕是一種普遍運用的制造工藝。在干法刻蝕反應腔中有一部件為聚焦圓環(huán)，材質(zhì)和晶圓一樣，為單晶硅，安裝在晶圓背面的下電極基座邊緣，如圖1所示，起到增大晶圓面積，提高晶圓刻蝕均勻度的作用。如圖1，反應腔100的基本構造為，晶圓110位于上電極120和下電極130之間，電極之間為離子轟擊140，晶圓110放在下電極130上被刻蝕，而聚焦圓環(huán)150設置在下電極130的背面。在刻蝕過程中晶圓110和聚焦圓環(huán)150的溫度會升高，從而破環(huán)溫度穩(wěn)定性，不利于刻蝕過程，因此下電極中可設置有循環(huán)冷卻液體用于降溫，而導熱膠的設置就是為了快速地使得聚焦圓環(huán)和下電極進行熱交換，控制溫度的穩(wěn)定。然而現(xiàn)有技術中，導熱膠的安裝需要使用導熱膠治具，而治具需要定期更換，因此不僅結構復雜麻煩而且效率低下。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型的技術目的之一在于提供一種結構簡單的聚焦圓環(huán)，其特征在于，在圓環(huán)下表面設置有至少一個凹槽，用以放置導熱膠。

作為本實用新型的可選實施例，凹槽形狀可根據(jù)相應導熱膠的形狀而定。

作為本實用新型的可選實施例，凹槽深度為0.2mm-0.5mm，寬度為16.4mm-16.8mm。

本實用新型的另一技術目的在于提供一種刻蝕反應腔，包括腔體，上下電極和聚焦圓環(huán)，所述聚焦圓環(huán)設置在所述下電極邊緣，其特征在于：在所述聚焦圓環(huán)下表面設置有至少一個凹槽，用以放置導熱膠。

本實用新型的有益效果是，由于聚焦圓環(huán)本身設置有凹槽，導熱膠可直接放置在凹槽中，從而省去了專門的導熱膠治具，節(jié)約了成本，而且，安裝也變得非常簡單快捷。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術干法刻蝕反應腔示意圖；

圖2為本實用新型的聚焦圓環(huán)示意圖；

圖3為本實用新型帶有導熱膠后的聚焦圓環(huán)示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作詳細描述。但需要指出的是，以下實施例僅是作為對本實用新型的說明性而非限制性描述，因此任何基于這些具體實施例的其他變異，變型，改進，替換，延伸均應落入本實用新型的保護范圍。

如圖2所示，本實用新型所述的聚焦圓環(huán)150的下表面1510上設置有6個凹槽1520，每個凹槽寬度為16.4mm-16.8mm，深度為0.2mm-0.5mm。當然，凹槽的個數(shù)，寬度和深度可根據(jù)具體情況而定。圖3是當導熱膠已經(jīng)安裝進相應凹槽后的示意圖，導熱膠為1530。

在現(xiàn)有技術中，導熱膠的安裝需要有一個安裝治具(治具上設置有導熱膠凹槽)，即需要將導熱膠安放在治具上，然后再把聚焦圓環(huán)放置在治具上，按壓10分鐘左右，去掉導熱膠覆蓋膜，使其可以充分地交換聚焦圓環(huán)和下電極之間的熱量。而本實用新型由于圓環(huán)本身設置有導熱膠凹槽，從而無需借助任何治具，也省去了上述繁瑣的過程，整個安裝過程只需要幾分鐘，大大節(jié)省了時間和人力。