[實用新型]一種多晶硅生產(chǎn)中的余熱回收裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420499795.0
• 申請日: 2014-09-01
• 公開（公告）號: CN204079494U
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 李海軍;王衛(wèi)鋒;崔凱彬
• 申請（專利權(quán)）人: 中國化學工程第六建設有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

1.一種多晶硅生產(chǎn)中的余熱回收裝置，其特征在于，包括：

保溫罩，其呈鐘罩型，底部是敞開的，內(nèi)部是中空的，所述保溫罩的殼體壁由內(nèi)層殼體和外層殼體構(gòu)成，所述外層殼體包覆在所述內(nèi)層殼體的外側(cè)，所述外層殼體和所述內(nèi)層殼體的下邊緣焊接在一起，從而在所述外層殼體與所述內(nèi)層殼體之間形成一進氣腔，所述外層殼體上開設有與所述進氣腔連通的若干第一進氣口，若干第一進氣口均位于所述外層殼體的下部且分布在一個圓周上，所述外層殼體的頂部開設有出氣口；

第一進氣環(huán)，其內(nèi)部中空，套設在所述保溫罩的外側(cè)，所述第一進氣環(huán)的內(nèi)側(cè)壁向內(nèi)伸出若干的第一進氣接頭，各第一進氣接頭連接至一個第一進氣口；

第一進氣管，其一端連接至所述第一進氣環(huán)，另一端連接至多晶硅生產(chǎn)反應器的排氣口，所述第一進氣管上設置有第一閥門；

其中，在所述保溫罩上設置有貫通所述保溫罩的多個孔道，各孔道通過孔道壁與所述進氣腔相隔離，所述出氣口上設置有第三閥門。

2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)中的余熱回收裝置，其特征在于，還包括：

支架，其設置在所述保溫罩的下方，支撐所述保溫罩。

3.如權(quán)利要求1或2所述的多晶硅生產(chǎn)中的余熱回收裝置，其特征在于，

所述外層殼體上開設有與所述進氣腔連通的若干第二進氣口，若干第二進氣口均位于所述外層殼體的上部且分布在一個圓周上；

所述余熱回收裝置還包括：

第二進氣環(huán)，所述第二進氣環(huán)的內(nèi)部中空，套設在所述保溫罩的外側(cè)，所述第二進氣環(huán)的內(nèi)側(cè)壁向內(nèi)伸出若干的第二進氣接頭，各第二進氣接頭連接至一個第二進氣口；

第二進氣管，其一端連接至所述第二進氣環(huán)，另一端連接至多晶硅生產(chǎn)反應器的排氣口，所述第二進氣管上設置有第二閥門。

4.如權(quán)利要求3所述的多晶硅生產(chǎn)中的余熱回收裝置，其特征在于，還包括：

出氣管，其連接至所述出氣口，所述出氣管的中間一段相對一軸線以螺旋狀盤繞，形成一個內(nèi)部中空的管狀結(jié)構(gòu)；

輸水管道或輸氣管道，其由所述管狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)部通過。

5.如權(quán)利要求3所述的多晶硅生產(chǎn)中的余熱回收裝置，其特征在于，若干的第一進氣口包括6-8個第一進氣口。

6.如權(quán)利要求3所述的多晶硅生產(chǎn)中的余熱回收裝置，其特征在于，若干的第二進氣口包括6-8個第二進氣口。

7.如權(quán)利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)中的余熱回收裝置，其特征在于，若干的第一進氣口分布在靠近所述外層殼體的下邊緣的位置。