[實用新型]不透明蓋子和黑色堆疊有效
| 申請號: | 201420496653.9 | 申請日: | 2014-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN204440366U | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發明(設計)人: | 松雪直人;D·J·韋伯 | 申請(專利權)人: | 蘋果公司 |
| 主分類號: | G06F3/044 | 分類號: | G06F3/044;G06F1/16 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 鮑進 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 不透明 蓋子 黑色 堆疊 | ||
1.一種用于電容性傳感器的不透明蓋子,其特征在于,所述蓋子包括:
透明基板;及
布置成與所述透明基板相鄰的黑色堆疊,其中所述黑色堆疊包括:
顏料堆疊,包括:
第一介電層;
第二介電層;
第一光吸收層,位于所述第一介電層和所述第二介電層之間,其中:
所述第一介電層具有第一折射率;
所述第二介電層具有與所述第一折射率不同的第二折射率;及
與多個第三介電層交錯的多個第二光吸收層。
2.如權利要求1所述的不透明蓋子,其特征在于,所述第一介電層和所述第二介電層每一個都是由選自包括以下的組中的一種材料形成的層:氧化硅、氮化硅和氧化鈮。
3.如權利要求1所述的不透明蓋子,其特征在于,所述黑色堆疊是具有至少1014Ωcm或更大的電阻率的堆疊。
4.如權利要求1所述的不透明蓋子,其特征在于,所述黑色堆疊是具有至少3或更大的光密度的堆疊。
5.如權利要求1所述的不透明蓋子,其特征在于,所述第一介電層、所述第二介電層和所述第三介電層每一個都是具有比閾值低的介電常數的層。
6.如權利要求5所述的不透明蓋子,其特征在于,所述第一介電層、所述第二介電層和所述第三介電層每一個都是具有比50低的介電常數的層。
7.如權利要求1所述的不透明蓋子,其特征在于,所述第一光吸收層和所述第二光吸收層每一個都是由選自包括以下的組中的一種材料形成的層:錫、氧化銅、氧化鋅。
8.如權利要求7所述的不透明蓋子,其特征在于,錫層具有等于或小于100nm的厚度以使得所述錫層不導電。
9.如權利要求8所述的不透明蓋子,其特征在于,所述錫層具有大約5nm的厚度。
10.如權利要求1所述的不透明蓋子,其特征在于,所述第一介電層、所述第二介電層和所述第三介電層每一個都具有10nm到100nm的厚度。
11.如權利要求1所述的不透明蓋子,其特征在于,所述透明基板是由藍寶石或玻璃形成的基板。
12.如權利要求1所述的不透明蓋子,其特征在于,所述黑色堆疊具有1μm到2μm的厚度。
13.如權利要求1所述的不透明蓋子,其特征在于,所述電容性傳感器放置成與所述黑色堆疊相鄰以使得從所述透明基板的頂部來看,所述傳感器被所述黑色堆疊遮蔽。
14.一種形成在基板之上的黑色堆疊,其特征在于,包括:
在透明基板之上沉積的顏料堆疊,其中所述顏料堆疊包括被第一光吸收層與第二介電層隔開的第一介電層,所述第一介電層和所述第二介電層具有不同的折射率;
在所述顏料堆疊之上沉積的不導電光吸收堆疊;及
與所述光吸收堆疊相鄰地放置的電容性傳感器。
15.如權利要求14所述的黑色堆疊,其特征在于,所述不導電光吸收堆疊具有1μm到2μm的厚度。
16.如權利要求14所述的黑色堆疊,其特征在于,所述第一介電層和所述第二介電層每一個都是由選自包括以下的組中的一種材料形成的層:氧化硅、氮化硅和氧化鈮。
17.如權利要求14所述的黑色堆疊,其特征在于,所述第一光吸收層是由選自包括以下的組中的一種材料形成的層:錫、氧化銅和氧化鋅。
18.如權利要求17所述的黑色堆疊,其特征在于,錫層具有等于或小于100nm的厚度以使得所述錫層不導電。
19.如權利要求17所述的黑色堆疊,其特征在于,所述錫層具有大約5nm的厚度。
20.如權利要求14所述的黑色堆疊,其特征在于,所述不導電光吸收堆疊包括與第三介電層交錯的多個第二光吸收層,所述第三介電層是具有低于閾值的介電常數的層。
21.如權利要求20所述的黑色堆疊,其特征在于,所述第二光?吸收層是由選自包括以下的組中的一種材料形成的層:錫、氧化銅和氧化鋅。
22.如權利要求21所述的黑色堆疊,其特征在于,錫層具有等于或小于100nm的厚度以使得所述錫層不導電。
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