[實用新型]一種雙多晶硅功率MOS管有效

申請號：	201420496425.1	申請日：	2014-08-29
公開（公告）號：	CN204102906U	公開（公告）日：	2015-01-14
發明（設計）人：	關仕漢;李勇昌;彭順剛;王常毅;鄒鋒;梁毅	申請（專利權）人：	桂林斯壯微電子有限責任公司
主分類號：	H01L29/78	分類號：	H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
代理公司：	桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107	代理人：	陳躍琳
地址：	541004 廣西壯族自***	國省代碼：	廣西;45
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種多晶功率 mos
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【權利要求書】：

1.一種雙多晶硅功率MOS管，其特征在于：主要由N+襯底、N型外延層、厚氧化層、源極多晶硅、柵極氧化層、柵極多晶硅、體區P、源區N+、硼磷硅玻璃、P+區、鎢塞、源極和漏極組成；其中N型外延層位于N+襯底的正上方；N型外延層的中部開設有縱向延伸的深溝槽，厚氧化層覆于深溝槽的槽壁上；在覆有厚氧化層的深溝槽的槽中填充源極多晶硅；在源極多晶硅和N型外延層之間的厚氧化層內開設有縱向延伸的柵極溝槽，該柵極溝槽在靠近源極多晶硅的一側留存有一定厚度的厚氧化層，柵極溝槽在靠近N型外延層的一側則挖到N型外延層處；柵極溝槽內填充有柵極多晶硅；柵極氧化層位于柵極溝槽的外側，并呈縱向延伸；體區P位于柵極氧化層的外側；源區N+位于柵極氧化層的外側，并處于體區P的正上方；源區N+的外側設有鎢塞；P+區位于鎢塞的底部，并處于體區P的上部；硼磷硅玻璃覆蓋在源區N+、厚氧化層、源極多晶硅、柵極氧化層和柵極多晶硅的上方；源極位于鎢塞和硼磷硅玻璃的正上方；漏極位于N+襯底的正下方。?

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