[實用新型]具有大功率可控硅的新型調匝消弧線圈裝置有效
| 申請號： | 201420489903.6 | 申請日： | 2014-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN204118733U | 公開（公告）日： | 2015-01-21 |
| 發明（設計）人： | 劉富榮;連偉華;李相成;李輝;王振邦;祿朋;朱慧麗 | 申請（專利權）人： | 河南恩湃電力技術有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/08 | 分類號： | H02H9/08 |
| 代理公司： | 鄭州金成知識產權事務所(普通合伙) 41121 | 代理人： | 郭增欣 |
| 地址： | 450016 河南省*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 大功率 可控硅 新型 調匝消 弧線 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有大功率可控硅的新型調匝消弧線圈裝置，包括接地變壓器、阻尼電阻、阻尼箱、大功率可控硅，其特征是：所述阻尼箱為長方體結構，所述阻尼電阻、接地變壓器、大功率可控硅均設置在阻尼箱內，所述接地變壓器、大功率可控硅在所述阻尼電阻的下側，所述接地變壓器在所述大功率可控硅左側。
2.根據權利要求1所述的具有大功率可控硅的新型調匝消弧線圈裝置，其特征是：所述大功率可控硅為晶閘管連接成的自觸發電路，包括晶閘管、電阻，所述晶閘管電阻均為兩個，所述兩個晶閘管反向并聯，并具有兩個外接線路，所述兩個晶閘管的門極與外接線路對應連接，所述兩個電阻分別設置在兩個晶閘管的門極與外接線路之間。
3.根據權利要求2所述的具有大功率可控硅的新型調匝消弧線圈裝置，其特征是：所述兩個外接線路設置在阻尼電阻兩側。
4.根據權利要求1所述的具有大功率可控硅的新型調匝消弧線圈裝置，其特征是：所述阻尼箱上側設置有與消弧線圈連接的接口，所述阻尼箱下側設置有接地線。
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