[實用新型]一種增強背面反射的異質結電池有效
| 申請號: | 201420483383.8 | 申請日: | 2014-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN204118093U | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 李瑋 | 申請(專利權)人: | 國電光伏有限公司;國電新能源技術研究院 |
| 主分類號: | H01L31/056 | 分類號: | H01L31/056;H01L31/072 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 214200 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 增強 背面 反射 異質結 電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種異質結電池,特別是一種增強背面反射的異質結電池。
背景技術
晶體硅太陽能電池在迅速發展的光伏發電技術領域中一直占據著主導地位,單晶硅太陽能電池和多晶硅太陽能電池更被作為了太陽能電池的主流產品,但由于價格昂貴和材料短缺,已不能滿足經濟社會快速發展的需求。目前,第二代薄膜型硅太陽能電池逐漸成為硅太陽能電池應用和發展的主流,然而非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜等太陽能電池均存在不同程度的光致衰退效應且轉換效率遠不如晶體硅太陽能電池,為減少晶體硅太陽能電池同時保持高效率狀態,今年來HIT太陽能電池得到了迅速的發展。在太陽能電池制備工藝上,HIT太陽能電池結合了薄膜太陽能電池低溫制造的優點,避免了晶體硅高溫擴散工藝獲得p-n結的方法,從而節約了制造成本。
但從目前來看,傳統的HIT電池當光能照射在電池表面后,部分光能發生了反射產生流失,而部分光能發生折射產生流失,造成了大量能源不能有效利用的問題。
發明內容
發明目的:本實用新型的目的在于解決現有的異質結太陽能電池光能流失嚴重、反射次數少的問題。
技術方案:本實用新型提供以下技術方案:一種增強背面反射的異質結電池,包括至少兩片相鄰的電池片,所述電池片包括主體硅層,所述主體硅層邊緣設有延伸層,主體硅層下表面設置第一濺射層,第一濺射層下表面設有第二濺射層,延伸層與第一濺射層、第二濺射層適配。
作為優化,所述第一濺射層為銅層、銀層、或鋁層。
作為優化,所述第二濺射層為銀層或鋅層。
作為優化,所述延伸層的厚度等于第一濺射層和第二濺射層的厚度之和。
工作原理:太陽光垂直自硅層上表面射入,會在硅層下表面發生部分反射,并在上表面和下表面之間多次反射增加光電轉化效率,太陽光傾斜自硅層上表面射入,會有部分光經過延伸層多次反射,再從硅層側面射出,進入相鄰的電池片,增強光能使用率。
有益效果:本實用新型與現有技術相比:采用本實用新型的設計,能夠使得無論陽光從何種角度射入,都可以發生至少2次發射,增強了光能轉化效率,并且本實用新型實用的材料來源廣,成本低,富于實用。
附圖說明
圖1為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
如附圖1所示,一種增強背面反射的異質結電池,包括兩片相鄰的電池片1,所述電池片1包括主體硅層2,所述主體硅層2邊緣設有延伸層3,主體硅層2下表面設置第一濺射層4,第一濺射層4下表面設有第二濺射層5,延伸層3與第一濺射層4、第二濺射層5適配。所述第一濺射層4為銅層、銀層、或鋁層。所述第二濺射層5為銀層或鋅層。所述延伸層3的厚度為110nm,第一濺射層4厚度為90nm,第二濺射層5的厚度為20nm。所述延伸層3寬度為5mm。相鄰電池片1之間距離為1cm。
太陽光垂直自硅層2上表面射入,會在硅層2下表面發生部分反射,并在上表面和下表面之間多次反射增加光電轉化效率,太陽光傾斜自硅層2上表面射入,會有部分光經過延伸層3多次反射,再從硅層2側面射出,進入相鄰的電池片1,增強光能使用率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





