[實用新型]一種緊湊型布局的薄膜沉積設備有效
| 申請號: | 201420482962.0 | 申請日: | 2014-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN204144225U | 公開(公告)日: | 2015-02-04 |
| 發明(設計)人: | 吳鳳麗;姜崴;陳英男 | 申請(專利權)人: | 沈陽拓荊科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃;霍光旭 |
| 地址: | 110179 遼寧省*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 緊湊型 布局 薄膜 沉積 設備 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種薄膜沉積設備,特別是一種可通過多邊形組件組合成的緊湊型布局的薄膜沉積設備,屬于半導體薄膜沉積應用及制造技術領域。
背景技術
半導體鍍膜設備大都需要設備前端模塊用于放置晶圓,并由傳片腔進行晶圓的傳送及反應腔進行的薄膜沉積。但現有半導體鍍膜設備大都由矩形或近似矩形模塊組成,按功能排布后所占空間較大,設備有很多空余空間無法充分利用。半導體鍍膜設備需要在顆粒度滿足要求的潔凈環境下使用,占地面積大,則所需潔凈間的運行成本增加,設備多余空間的存在,使潔凈間環境沒有被充分利用,浪費潔凈間資源及成本。
發明內容
本實用新型以解決上述問題為目的,主要解決現有半導體薄膜沉積設備體積龐大,占地空間大及潔凈間資源浪費等問題。
為實現上述目的,本實用新型采用下述技術方案:一種緊湊型布局的薄膜沉積設備,包括晶圓存儲組件(1),在晶圓存儲組件(1)中放置晶圓,作為晶圓傳入、傳出過程中的堆棧及存儲區域,主傳片室(2)中設有傳片機械手(3),由機械手(3)進行從晶圓存儲組件(1)取送片或從副傳片室(4)取送片操作,副傳片室(4)中有直線式傳輸機構對反應室(5)進行晶圓的取送片操作。并可根據不同工藝流程要求掛載其他形式或功能的腔室。本實用新型采用具有特定功能的多邊形組件,緊湊排布形式。
上述晶圓存儲組件(1)、主傳片室(2)及副傳片室(4)可設計成四邊形或五邊形或六邊形。
依據多邊形模塊緊湊型布局方式制定的特有的折線式流片方式,傳片路徑為送片路徑與取片路徑相同,沉積反應完成后晶圓按送片路徑原路返回,各腔室及晶圓獨立流片,避免了公共路徑過多造成顆粒物問題影響過大,即便一個流片路徑出現顆粒物問題,另一路徑可不受影響獨立流片。折線式流片方式有利于縮短傳片路徑,提高生產效率及節約成本。
本實用新型的有益效果及特點:采用模塊化設計理念,多邊形組件合理布局,結構緊湊,通過對各組件所需最小空間尺寸的計算,整合各模塊配合方式,可以有效的減少占地面積,節約潔凈間成本。還可以根據不同的工藝制程要求掛載不同形式及功能的模塊組件,增強組件的自由性及互換性。在布局緊湊的基礎上,采取獨特的折線式流片方式,提高效率,節約成本。
附圖說明
圖1是本實用新型各模塊布局示意圖。
圖2是機械手去晶圓存儲組件取送片示意圖。
圖3是機械手去副傳片室取送片示意圖。
圖4是晶圓傳輸路徑示意圖。
圖中零件標號分別代表:
1、晶圓存儲組件;2、主傳片室;3、傳片機械手;4、副傳片室;5、反應室;6、晶圓傳輸路徑。
具體實施方式
實施例
如圖1所示,一種緊湊型布局的薄膜沉積設備,該設備中晶圓存儲組件1、主傳片室2、副傳片室4及反應室5等組件以其獨有的多邊形結構緊湊排布。在晶圓存儲組件1中放置晶圓,作為晶圓傳入、傳出過程中的堆棧及存儲區域,主傳片室2中設有傳片機械手3,由機械手3進行從晶圓存儲組件1取送片或從副傳片室4取送片操作,副傳片室4中有直線式傳輸機構對反應室5進行晶圓的取送片操作。并可根據不同工藝流程要求掛載其他形式或功能的腔室。本專利采用具有特定功能的多邊形組件,緊湊排布形式。
上述晶圓存儲組件1為四邊形;主傳片室2為五邊形;副傳片室4為四邊形。
工作時(參照圖2-4),將裝滿待沉積的晶圓安置在晶圓存儲組件1上,按照晶圓傳輸路徑6的方向,主傳片室2中的傳片機械手3將待沉積晶圓從晶圓存儲組件1中取出,并將其送往副傳片室4,副傳片室4中直線式傳輸機構將晶圓送往反應室5進行薄膜的沉積。當沉積完成后,副傳片室4中直線式傳輸機構將晶圓從反應室5中取出,傳片機械手3再將副傳片室4中已取出的沉積后的晶圓送往晶圓存儲組件1中,如上為一個傳片周期。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





