[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201420479858.6
• 申請日: 2014-08-22
• 公開（公告）號: CN204155938U
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 新井耕一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/808
• 分類號: H01L29/808;H01L29/423;H01L21/337
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.一種半導體器件，

包含結型場效應晶體管，

所述結型場效應晶體管包括：

(a)成為電流通路的第1導電型的溝道區域；以及

(b)與所述第1導電型相反的第2導電型的一對柵極區域，所述一對柵極區域形成為夾持所述溝道區域，

所述半導體器件的特征在于，所述一對柵極區域的每一個具有：

(b1)低濃度柵極區域；以及

(b2)雜質濃度比所述低濃度柵極區域高的高濃度柵極區域，

所述高濃度柵極區域內包于所述低濃度柵極區域。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述高濃度柵極區域不與所述溝道區域接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在所述溝道區域與所述高濃度柵極區域之間存在所述低濃度柵極區域的一部分。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述高濃度柵極區域的底面形成于比所述低濃度柵極區域的底面淺的位置。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在所述高濃度柵極區域上形成有硅化物層。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述溝道區域由通過向碳化硅導入第1導電型雜質而形成的半導體區域形成，

所述一對柵極區域的每一個由通過向碳化硅導入第2導電型雜質而形成的半導體區域形成。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在所述低濃度柵極區域與所述溝道區域之間形成有第1導電型的反向摻雜區域。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述結型場效應晶體管具有：

半導體襯底；

外延層，形成在所述半導體襯底上；

源極區域，形成在所述外延層的表面上；

所述溝道區域，形成在所述源極區域的下層；

一對槽，以夾持所述源極區域的方式形成在所述外延層上；以及

所述一對柵極區域，形成在所述一對槽的底部之下。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，

在所述一對槽的每一個的側面上也形成有所述低濃度柵極區域。