[實用新型]測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置有效
| 申請號： | 201420475712.4 | 申請日： | 2014-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN204028207U | 公開（公告）日： | 2014-12-17 |
| 發明（設計）人： | 郭同輝;曠章曲 | 申請（專利權）人： | 北京思比科微電子技術股份有限公司 |
| 主分類號： | G01R19/00 | 分類號： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260 | 代理人： | 鄭立明;趙鎮勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測量 圖像傳感器 像素 完全 耗盡 電壓 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，所述圖像傳感器像素包含光電二極管、電荷傳輸晶體管，其特征在于，所述光電二極管的電荷收集區域與電壓測量表相連接，所述電荷傳輸晶體管的漏極端與可調電源相連接。
2.根據權利要求1所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述光電二極管為N型光電二極管。
3.根據權利要求2所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述光電二極管通過設置第一接觸孔與金屬線連接，所述金屬線的另一端與所述電壓測量表連接。
4.根據權利要求3所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述第一接觸孔與所述電荷傳輸晶體管之間的距離大于或等于0.5倍的光電二極管尺寸。
5.根據權利要求4所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述第一接觸孔處不設置P+型pin層。
6.根據權利要求1所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述電荷傳輸晶體管為N型晶體管，其源極端為光電二極管、漏極端為N+有源區。
7.根據權利要求6所述的測量圖像傳感器像素完全耗盡電壓的裝置，其特征在于，所述電荷傳輸晶體管的漏極端通過設置第二接觸孔與金屬線相連接，所述金屬線的另一端與所述可調電源相連接。
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