[實用新型]去除多晶硅片制絨后表面多孔硅的裝置有效
| 申請號: | 201420474522.0 | 申請日: | 2014-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN204138820U | 公開(公告)日: | 2015-02-04 |
| 發明(設計)人: | 趙衛東;趙雅;趙楓;楊冬琴;湯云鶴;王玉龍;郭盼盼;徐建鴻;龔駿 | 申請(專利權)人: | 江蘇東鋆光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B33/10 | 分類號: | C30B33/10;H01L31/18 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐紉蘭;沈國安 |
| 地址: | 214421 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 去除 多晶 硅片 制絨后 表面 多孔 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種去除多孔硅的裝置,尤其涉及一種用于徹底去除多晶硅片制絨后表面多孔硅的裝置。屬于太陽能光伏技術領域。
背景技術
目前晶體硅太陽能電池產業化技術已經非常成熟,其中絨面制備是晶體硅太陽電池生產過程的重要工序,直接影響電池片的外觀以及Uoc、Isc等重要電性能參數。使用常規的制絨設備時,均采用常溫下KOH溶液去除制絨后多晶硅片表面產生的多孔硅,由于設備槽體不配有任何可以控制溶液溫度的裝置,因而溶液的溫度可以說隨著環境的變化而變化,處于不受控的狀態,制約了此工序工藝的制程控制能力,同時由于溶液一般處于與環境溫度接近的情況下(約25℃),溶液活性較低,很難去除絨面小坑、深坑的多孔硅,為了保證表面多孔硅的去除效果,使電池片燒結可形成良好的鋁背場,獲得較高的的Uoc和Isc,傳統的在常溫下使用KOH溶液的方法必然需要增加溶液的濃度來改善清洗效果,但是仍不能使絨面深處的多孔硅去除干凈,并且較高濃度的KOH增加了生產成本。
發明內容
本實用新型的目的在于克服上述不足,提供一種能有效徹底去除多晶硅片制絨后表面多孔硅的裝置,提高電池片電性能、降低生產成本和電池片的外觀不良率。
本實用新型的目的是這樣實現的:一種去除多晶硅片制絨后表面多孔硅的裝置,它包括藥箱、堿槽主槽和堿槽副槽,所述藥箱的出口與堿槽副槽的進口相連,且在所述藥箱與堿槽副槽之間設置有第一加熱器,在所述堿槽副槽的出口端依次連接有第一手動球閥和第一數顯流量計,最后與堿槽主槽的入口相連,在所述堿槽主槽的出口端依次連接有第二手動球閥和第二數顯流量計,最后與堿槽副槽的入口相連,在所述堿槽副槽內增加第二加熱裝置和水冷裝置。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
本實用新型在藥箱和副槽間增加了加熱裝置來控制新加藥液的溫度,在副槽內部增加了加熱和水冷裝置來控制副槽內藥液的溫度,堿槽主、副槽間加裝了手動球閥和數顯流量計來控制液體的循環流量,從而達到穩定控制主槽噴淋的堿溶液溫度的目的,使反應溫度維持在45℃,這樣便能在較低堿液濃度下徹底去除多孔硅,提高電池片電性能、降低生產成本和電池片的外觀不良率,同時又不損害主槽堿液噴淋管壽命。
附圖說明
圖1為本實用新型的結構示意圖。
其中:?
藥箱1
堿槽主槽2
堿槽副槽3
第一加熱器4
第一手動球閥5
第一數顯流量計6
第二手動球閥7
第二數顯流量計8
第二加熱裝置9
水冷裝置10。
具體實施方式
參見圖1,本實用新型涉及一種去除多晶硅片制絨后表面多孔硅的裝置,包括藥箱1、堿槽主槽2和堿槽副槽3,所述藥箱1的出口與堿槽副槽3的進口相連,且在所述藥箱1與堿槽副槽3之間設置有第一加熱器4,在所述堿槽副槽3的出口端依次連接有第一手動球閥5和第一數顯流量計6,最后與堿槽主槽2的入口相連,在所述堿槽主槽2的出口端依次連接有第二手動球閥7和第二數顯流量計8,最后與堿槽副槽3的入口相連,通過數顯流量計和手動球閥來控制堿槽主槽2和堿槽副槽3溶液之間的循環,使堿槽主槽2噴淋出的溶液溫度維持在45℃,提高溶液的化學活性,增加化學反應速率,徹底去除多晶硅片制絨后產生的多孔硅,在所述堿槽副槽3內增加第二加熱裝置9和水冷裝置10穩定控制副槽的溶液溫度。
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