[實用新型]一種減少薄鋁層芯片損傷的芯片封裝結構有效
| 申請號： | 201420473675.3 | 申請日： | 2014-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN204088302U | 公開（公告）日： | 2015-01-07 |
| 發明（設計）人： | 張建國;伍江濤;左福平;張航;朱紅星 | 申請（專利權）人： | 深圳電通緯創微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減少 薄鋁層 芯片 損傷 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種減少薄鋁層芯片損傷的芯片封裝結構，其特征在于：包括框架，框架外周密封設有封裝體，該封裝體與框架之間形成安裝芯片的芯片座，芯片座上固定設置芯片，芯片上設有銅線鍵合點，相鄰銅線鍵合點之間、以及銅線鍵合點與內引腳之間均通過銅線鍵合；所述銅線采用線徑為2mil的銅線。
2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于：所述銅線鍵合點包括鋁墊、絕緣層以及銅片，絕緣層涂覆于鋁墊之上，銅片焊接于絕緣層之上。
3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于：所述鋁墊厚度為2.6um。
4.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于：所述框架尺寸為100*160?mil。
5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于：所述框架包括襯底以及設置于襯底上的導熱層實現。
6.根據權利要求5所述的芯片封裝結構，其特征在于：所述襯底上設有鎳鍍覆層和/或銅鍍覆層。
7.根據權利要求6所述的芯片封裝結構，其特征在于：所述襯底上設有0.5μm-1.5μm厚度的鎳鍍覆層和/或銅鍍覆層。
8.根據權利要求7所述的芯片封裝結構，其特征在于：所述導熱層為陶瓷導熱層或者鍍銀導熱層。
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