[實用新型]一種LED驅動電路及其軟啟動電路

有效

• 申請號: 201420472538.8
• 申請日: 2014-08-21
• 公開（公告）號: CN204031553U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 鄭石磊;鄭振軍;吳建國;潘逸龍;毛維琴
• 申請（專利權）人: 浙江東和電子科技有限公司
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種軟啟動驅動電路，尤其是一種用于驅動LED的軟啟動驅動電路。

背景技術

LED又叫發光二極管，作為新興的固態光源,白光LED具有無污染、高效率和使用壽命長等優點。如今，LED驅動芯片普遍應用于手電筒、裝飾照明、礦燈照明及汽車輔助照明等。因為白光LED的顏色和亮度受正向電流及溫度的影響顯著,所以對其驅動芯片的性能提出了很高的要求。

LED驅動電路，其功能框圖如圖2所示，包括帶隙參考源、PWM控制器、誤差放大器EA、軟啟動電路、欠壓鎖定電路、過熱關斷、過流保護電路、內部穩壓電路、使能電路、輸入電壓檢測電路、邏輯控制電路、功率開關管輸出電路。軟啟動是芯片設計中的常用模塊，其主要目的是使輸出電壓或者電流緩慢上升，不至于在芯片上電的瞬間產生大的過沖。

為了實現最短的啟動延遲,傳統的芯片沒有采用內部軟啟動電路,而是采用了外部軟啟動電路來防止首次接通涌入較大電流。目前,軟啟動集成電路的實現常用的方法是在啟動階段用一個從零逐漸升高的斜坡電平代替基準電壓作為放大器EA的輸入，如圖1所示。通過一個電流源給接地電容（Csoft）充電得到Vsoft電壓,Vsoft呈斜坡狀從零上升,用該電平代替信號與反饋電壓FB比較,因此從啟動開始,EA就處于平衡態,環路也處于正常的調整狀態,輸出電壓隨著Vsoft的逐漸上升,從而達到軟啟動的目的。上述方法雖然能夠實現軟啟動,但是仍然存在以下缺點:①沒有直接控制電感電流，為了徹底避免浪涌,需要較大的軟啟動電容來增大啟動時間,一般容量大的電容體積也大，電容往往不能集成在芯片上，啟動時間也變長;?②啟動過程中輸出電壓和電感電流的變化不夠平穩。

為了克服上述缺點,本文提出了一種新型的LED驅動電路及其軟啟動電路。

發明內容

針對現有技術存在的不足，本實用新型一方面提供一種軟啟動電路，并將其封裝于STO23-6的芯片中，其功能框圖如圖2所示，包括：

基準電流鏡像電流源，耦接于外部輸出端以接收電流信號；

比較器，該比較器包括正向輸入端，耦接于基準電流鏡像電流源的輸出端，反向輸入端，用于接收外部參考電壓；

兩個反相器，其輸入端耦接于比較器的輸出端；

兩個開關管，耦接于反相器的輸出端，并耦接于比較器的輸入端。

所述的基準電流鏡像電流源（1）的電路圖如圖4所示，由第一NPN三極管（T0）、第二NPN三極管（T1）和限流電阻（R0）構成。其中限流電阻（R0）一端耦接于電源，另一端耦接于第一NPN三極管（T0）的集電極，第一三極管（T0）的基極耦接于其集電極并耦接于第二NPN三極管（T1）的基極，第一NPN三極管（T0）和第二NPN三極管（T1）的發射極共地。

所述的比較器、反相器和開關管構成軟啟動電路，其電路原理圖如圖5所示。

所述的比較器（2）由6個N溝道MOS管和4個P溝道MOS管構成，所述的第三P溝道MOS管（P1）的源極接電源，其漏極耦接于柵極，并耦接于第五N溝道MOS管（N5）的漏極。所述的第五N溝道MOS管（N5）的源極接地，其柵極耦接于第一N溝道MOS管（N1）的柵極與第二N溝道MOS管（N2）的柵極之間。所述的第一N溝道MOS管（N1）的源極接地，其柵極耦接于第二N溝道MOS管（N2）的柵極，其漏極耦接于第一P溝道MOS管（P1）的漏極。所述的第一P溝道MOS管（P1）的柵極耦接于第一電容（C1），其源極耦接于第二P溝道MOS管（P2）的源極。所述的第二P溝道MOS管（P2）的柵極接第二電容（C2），其漏極耦接于第四N溝道MOS管（N4）的漏極。所述的第四N溝道MOS管（N4）的源極接地，其漏極耦接于柵極，并耦接于第三N溝道MOS管（N3）的柵極。所述的第三N溝道MOS管（N3）的源極接地，其漏極耦接于第一P溝道MOS（P1）的漏極。所述的第二N溝道MOS管（N2）的源極接地，其漏極耦接于第二P溝道MOS管的漏極。所述的第六N溝道MOS管（N6）的源極接地，其漏極耦接于第四P溝道MOS管（P4）的漏極。所述的第四P溝道MOS管（P4）的柵極接電源，其柵極耦接于第三P溝道MOS管（P3）的柵極。