[實用新型]發光二極管有效
| 申請號: | 201420465984.6 | 申請日: | 2014-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN204167323U | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發明(設計)人: | 吳世熙;金每恞;李剡劤;梁明學;尹馀鎮 | 申請(專利權)人: | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓芳;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 | ||
1.一種發光二極管,其特征在于,所述發光二極管包括:
多個發光單元;以及
互連件,使發光單元彼此連接,
其中,互連件中的至少一個包括公共地電連接到兩個發光單元的公共陰極;
每個發光單元包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及設置在第一導電型半導體層和第二導電型半導體層之間的活性層;
所述兩個發光單元共用第一導電型半導體層;
其中,透明電極層連續地設置在所述兩個發光單元之間,并且公共陰極通過透明電極層電連接到所述兩個發光單元。
2.根據權利要求1所述的發光二極管,其特征在于,所述發光二極管還包括:
電流阻擋層,設置在公共陰極下方,并且使透明電極層與所述兩個發光單元的側表面隔離。
3.根據權利要求2所述的發光二極管,其特征在于,電流阻擋層具有比公共陰極的寬度大的寬度。
4.根據權利要求2所述的發光二極管,其特征在于,電流阻擋層包括分布式布拉格反射器。
5.根據權利要求4所述的發光二極管,其特征在于,電流阻擋層延伸到共用的第一導電型半導體層外側。
6.根據權利要求5所述的發光二極管,其特征在于,透明電極層覆蓋電流阻擋層的延伸的部分。
7.根據權利要求1所述的發光二極管,其特征在于,互連件中的至少一個包括公共地連接到所述兩個發光單元的公共陽極。
8.根據權利要求6所述的發光二極管,其特征在于,互連件中的至少一個包括公共陰極、公共陽極以及使公共陰極和公共陽極互連的互連部分。
9.根據權利要求1所述的發光二極管,其特征在于,彼此串聯連接的發光單元的至少兩個陣列通過互連件形成,并且發光單元的所述至少兩個陣列彼此并聯連接。
10.一種發光二極管,其特征在于,所述發光二極管包括:
第一發光單元和第二發光單元,在基底上彼此分開;
第一透明電極層,電連接到第一發光單元;
互連件,使第一發光單元電連接到第二發光單元;以及
第一絕緣層,
其中,第一透明電極層設置在第一發光單元的上表面上以連接到第一發光單元,同時至少部分地覆蓋第一發光單元的側表面,
第一絕緣層使第一透明電極層與第一發光單元的側表面分開。
11.根據權利要求10所述的發光二極管,其特征在于,所述發光二極管還包括:
第二絕緣層,在第一發光單元的上表面上設置在互連件和第一發光單元之間以阻擋電流。
12.根據權利要求11所述的發光二極管,其特征在于,第一絕緣層由氧化硅或氮化硅形成,第二絕緣層由氧化硅或氮化硅形成。
13.根據權利要求11所述的發光二極管,其特征在于,第二絕緣層設置在第一透明電極層下面,互連件連接到第一透明電極層。
14.根據權利要求10所述的發光二極管,其特征在于,第一透明電極層覆蓋第一發光單元的至少三個側表面。
15.根據權利要求14所述的發光二極管,其特征在于,第一透明電極層的一部分部分地覆蓋第二發光單元的側表面。
16.根據權利要求10所述的發光二極管,其特征在于,第一發光單元和第二發光單元中的每個包括下半導體層、上半導體層以及設置在下半導體層和上半導體層之間的活性層;
第一透明電極層電連接到第一發光單元的上半導體層;以及
互連件在其一端處電連接到第一透明電極層,并且在其另一端處電連接到第二發光單元的下半導體層。
17.根據權利要求16所述的發光二極管,其特征在于,互連件直接連接到第一透明電極層而不包括設置在它們之間的整個疊置區域上的絕緣材料。
18.根據權利要求17所述的發光二極管,其特征在于,所述發光二極管還包括:
第二絕緣層,設置在第一發光單元的上半導體層上,
其中,第二絕緣層設置在第一透明電極層和互連件所連接的區域下方。
19.根據權利要求16所述的發光二極管,其特征在于,第一發光單元和第二發光單元具有相同的結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





