[實用新型]具有終端結構的場截止型IGBT器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420464575.4
• 申請日: 2014-08-15
• 公開（公告）號: CN204029814U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 朱袁正;李宗清
• 申請（專利權）人: 無錫新潔能股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;張濤

1.一種具有終端結構的場截止型IGBT器件，在所述IGBT器件的俯視平面上，包括位于半導體基板上的元胞區(qū)和終端區(qū)，所述元胞區(qū)位于半導體基板的中心區(qū)域，終端區(qū)環(huán)繞包圍所述元胞區(qū)；在所述IGBT器件的截面上，所述半導體基板具有兩個相對應的主面，所述主面包括第一主面以及第二主面，半導體基板的第一主面與第二主面間包括第一導電類型漂移區(qū)；在所述半導體基板第一主面的元胞區(qū)內設置IGBT器件結構，在所述第一主面的終端區(qū)內設置終端保護結構；在半導體基板的第二主面上，設置有與第二導電類型集電區(qū)歐姆接觸的集電極金屬，第二導電類型集電區(qū)與第一導電類型漂移區(qū)間通過第一導電類型緩沖區(qū)相隔離；其特征是：

所述第二導電類型集電區(qū)包括位于元胞區(qū)內的第二導電類型第一集電區(qū)以及位于終端區(qū)的第二導電類型第二集電區(qū)；第一導電類型緩沖區(qū)包括位于元胞區(qū)內的第一導電類型第一緩沖區(qū)以及位于終端區(qū)內的第一導電類型第二緩沖區(qū)。

2.根據(jù)權利要求1所述的具有終端結構的場截止型IGBT器件，其特征是：所述第一導電類型第一緩沖區(qū)的第一導電類型雜質濃度、第一導電類型第二緩沖區(qū)的第一導電類型雜質濃度大于第一導電類型漂移區(qū)的第一導電類型雜質濃度；第二導電類型第一集電區(qū)的第二導電類型雜質濃度大于或等于第二導電類型第二集電區(qū)的第二導電類型雜質濃度，第一導電類型第一緩沖區(qū)的第一導電類型雜質濃度小于或等于第一導電類型第二緩沖區(qū)的第一導電類型雜質濃度；

第一導電類型第一緩沖區(qū)的第一導電類型雜質濃度、第二導電類型第一集電區(qū)的第二導電類型雜質濃度不同時與第一導電類型第二緩沖區(qū)的第一導電類型雜質濃度、第二導電類型第二集電區(qū)的第二導電類型雜質濃度相等。

3.根據(jù)權利要求2所述的具有終端結構的場截止型IGBT器件，其特征是：所述第二導電類型第二集電區(qū)的第二導電類型雜質濃度為零，集電極金屬直接與第一導電類型第二緩沖區(qū)歐姆接觸。

4.根據(jù)權利要求3所述的具有終端結構的場截止型IGBT器件，其特征是：所述第二導電類型集電區(qū)內的第二導電類型第一集電區(qū)通過第一導電類型第一緩沖區(qū)呈間隔分布，集電極金屬與第二導電類型第一集電區(qū)、第一導電類型第一緩沖區(qū)歐姆接觸。