[實用新型]一種MOSFET管防反接電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420463220.3 | 申請日： | 2014-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN204156524U | 公開（公告）日： | 2015-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周厚明;程峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢邁威光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H02H11/00 | 分類號： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 430073 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mosfet 反接 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型為一種MOSFET管防反接電路，具體涉及為基本電子電路領(lǐng)域。
背景技術(shù)
電子產(chǎn)品實際應(yīng)用中，電源正負極接反時，會產(chǎn)生極大的電流，使后級負載元器件全部燒毀，所以需要防反接保護電路。傳統(tǒng)的保護電路使用二極管，但是二極管存在壓降太大，功率損耗嚴重的問題，所以現(xiàn)在需要一種新的壓降小、功耗小的防反接電路。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服了使用二極管防反時帶來壓降以及功率損耗較大的問題，這種防反接保護電路很好的利用了MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷能力，防止電源反接的給負載帶來損害。
所述的MOS管為P溝道MOSFET,漏D極直接與電源輸入端相連，源S極直接與電源輸出端相連，柵G極直接與兩顆分壓電阻的公共端相連，分壓電阻一端接地，一端接輸出。
圖1為MOSFET防反接電路原理圖，P溝道的MOSFET，?R1和R2為兩個分壓電阻。當電源正常接入時，MOS管的GS間電壓為負，MOS管導(dǎo)通，電路正常工作。而當電源反接時，MOS管的GS間電壓為正，此時MOS關(guān)斷，從而避免了后級負載燒壞。
而且MOSFET導(dǎo)通電阻相當小，屬于毫歐級，所以其壓降和功耗也會較二極管小很多。
該電路設(shè)計簡單，成本較低，功率損耗較小，同時配置靈活，可以根據(jù)實際應(yīng)用需要選擇MOSFET管以及分壓電阻。
附圖說明
圖1是MOSFET防反接電路的原理圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖1詳細說明本實用新型的具體實施方式。
當電源正常接入時，MOS管的GS間電壓為負，MOS管導(dǎo)通，電路正常工作。而當電源反接時，MOS管的GS間電壓為正，此時MOS關(guān)斷，從而避免了后級負載燒壞。
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