[實用新型]晶圓承載裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420459468.2 | 申請日： | 2014-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN204130514U | 公開（公告）日： | 2015-01-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳登葵 | 申請（專利權）人： | 微芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉雙;常大軍 |
| 地址： | 中國臺灣新竹縣竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 承載 裝置 | ||
1.一種晶圓承載裝置，設置于一晶圓蝕刻設備，該晶圓蝕刻設備包含有一腔室以及一設置于該腔室的升降軸，其特征在于，該晶圓承載裝置包含有：
一設置于該升降軸上的絕緣盤；
一設置于該絕緣盤上以供承載一晶圓的金屬盤，該金屬盤具有一承載該晶圓的中央部分以及一自該中央部分朝外延伸而超出該晶圓的周緣；以及
一設置于該金屬盤上的絕緣環(huán)，該絕緣環(huán)覆蓋該周緣并具有一朝下延伸而突出該金屬盤的端緣；
其中，該絕緣盤至少遮蔽該中央部分的一中央底面而與該端緣之間具有一小于1公分的間距。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該金屬盤與該絕緣盤之間具有多個位置對應的定位孔，且多個定位件對應穿入該定位孔將絕緣盤與該金屬盤相互定位。
3.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該金屬盤與該絕緣盤之間具有多個位置對應的穿孔，該穿孔各穿設有一將該晶圓頂出該晶圓承載裝置的晶圓頂出軸。
4.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該周緣與該中央部分之間具有一高度落差而形成一供該絕緣環(huán)覆蓋的低階層。
5.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該晶圓蝕刻設備包含一密封該腔室的石英碗蓋以及一對應該石英碗蓋密封該腔室的上蓋。
6.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該金屬盤以及該絕緣盤為通過一螺栓鎖固于該升降軸上。
7.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該絕緣環(huán)還具有一向上突起而擋止該晶圓滑移的定位部。
8.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該金屬盤的材質為不銹鋼、金、銀、鐵、鎢或鋁。
9.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該絕緣盤的材質為陶瓷材料、石墨或石英。
10.根據(jù)權利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，該絕緣環(huán)的材質為石英或陶瓷材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
