[實用新型]橫向對稱DMOS管

有效

• 申請號: 201420455558.4
• 申請日: 2014-08-13
• 公開（公告）號: CN204029815U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 王建全;彭彪;張干;王作義;崔永明;李保霞
• 申請（專利權）人: 四川廣義微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 羅言剛

1.橫向對稱DMOS管，其特征在于，包括具備第一摻雜類型的外延層（1）及位于外延層上具備第二摻雜類型的兩個有源區（2），有源區上方設置有與有源區歐姆接觸的有源區金屬電極（5）；兩個有源區之間為具有第二摻雜類型的漂移區，漂移區中部為具有第一摻雜類型的溝道區（4），所述漂移區和溝道區上方均為絕緣層（8）覆蓋，絕緣層（8）上分布有柵極（7）和副柵（6），分別位于溝道區和漂移區上方，所述副柵上具有引線連接孔。?

2.如權利要求1所述的橫向對稱DMOS管，其特征在于，所述兩個有源區上的副柵（6）與柵極（7）平行布置，副柵（6）位于柵極（7）兩側，兩根副柵的端頭以金屬連線（9）對應連接。

3.如權利要求1所述的橫向對稱DMOS管，其特征在于，所述有源區（2）上方靠近漂移區一側設置有金屬硅化物層（10）。

4.如權利要求1所述的橫向對稱DMOS管，其特征在于，所述柵極和副柵為類型和厚度相同的多晶硅。

5.如權利要求1所述的橫向對稱DMOS管，其特征在于，所述副柵為與有源區金屬電極相同的金屬電極。

6.如權利要求1所述的橫向對稱DMOS管，其特征在于，還包括緊鄰所述有源區（2）遠離漂移區的具備第一摻雜類型的襯底電位區（3）。

7.如權利要求1所述的橫向對稱DMOS管，其特征在于，所述第一摻雜類型和第二摻雜類型分別為P型和N型。

8.如權利要求1所述的橫向對稱DMOS管，其特征在于，所述第一摻雜類型和第二摻雜類型分別為N型和P型。