[實用新型]具有控制波束寬度的小型化天線單元和大規模天線陣列有效
| 申請號： | 201420450943.X | 申請日： | 2014-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN203983493U | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發明（設計）人： | 莊昆杰 | 申請（專利權）人： | 莊昆杰 |
| 主分類號： | H01Q1/38 | 分類號： | H01Q1/38;H01Q13/08;H01Q13/10;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人： | 郭振興;王正茂 |
| 地址： | 362017 福建省泉州市豐*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 控制 波束 寬度 小型化 天線 單元 大規模 陣列 | ||
1.一種具有控制波束寬度的小型化天線單元，其特征在于，包括：輻射片、介質層、微帶縫隙天線基板和反射腔；
所述介質層設置于所述輻射片與所述微帶縫隙天線基板的正面之間，且所述介質層的介電常數大于空氣的介電常數；
所述微帶縫隙天線基板采用高介電常數基片，且所述高介電常數基片的介電常數大于3.5；
所述反射腔設置于所述微帶縫隙天線基板的反面。
2.根據權利要求1所述的小型化天線單元，其特征在于，所述微帶縫隙天線基板包括高介電常數基片、微槽縫隙和微帶線；
所述微槽縫隙設置于所述高介電常數基片的正面，所述微帶線設置于所述高介電常數基片的反面；所述微帶縫隙天線基板的正面與所述高介電常數基片的正面為同一面，所述微帶縫隙天線基板的反面與所述高介電常數基片的反面為同一面。
3.根據權利要求1或2所述的小型化天線單元，其特征在于，所述介質層和所述高介電常數基片的介電常數的取值范圍為：
3.5＜N＜10；1＜M＜10；
其中，N為高介電常數基片的介電常數，M為介質層的介電常數。
4.一種具有控制波束寬度的小型化大規模天線陣列，其特征在于，所述具有控制波束寬度的小型化大規模天線陣列由權利要求1-3任一所述的具有控制波束寬度的小型化天線單元組成。
5.根據權利要求4所述的小型化大規模天線陣列，其特征在于，所述具有控制波束寬度的小型化大規模天線陣列為二維大規模天線陣列。
6.根據權利要求5所述的小型化大規模天線陣列，其特征在于，所述具有控制波束寬度的小型化大規模天線陣列為4×4、4×16、8×8、8×16或8×32陣列的大規模天線陣列。
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