[實(shí)用新型]一種硅片的裂片裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420448840.X | 申請(qǐng)日: | 2014-08-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204029778U | 公開(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王天峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東芯諾電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;B28D5/00 |
| 代理公司: | 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218 | 代理人: | 肖健 |
| 地址: | 272100 *** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 硅片 裂片 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種硅片的裂片裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體芯片加工工藝中,廣泛應(yīng)用氧化、淀積、光刻、刻蝕、離子注入和金屬化等幾個(gè)主要步驟,而在半導(dǎo)體硅片進(jìn)行激光劃片以后就需要進(jìn)行裂片。也就是將硅片裂成小晶粒。
目前裂片主要是依靠人工用圓柱形的裂片筆進(jìn)行滾壓,然后再進(jìn)行進(jìn)一步的檢查和裂片。裂片的效率低,較難進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn);同時(shí),由于人工在進(jìn)行滾壓過程中,用力的大小不好掌握,使得對(duì)硅片的沖擊力無法調(diào)整,導(dǎo)致晶粒無法裂開或者分割后的晶粒發(fā)生崩裂損傷等情況,晶粒的良品率低。
發(fā)明內(nèi)容
為解決以上技術(shù)上的不足,本實(shí)用新型提供了一種裂片效率高的硅片的裂片裝置。
本實(shí)用新型是通過以下措施實(shí)現(xiàn)的:
本實(shí)用新型的一種硅片的裂片裝置,包括底座和支撐筒,所述支撐筒為
底部開口且頂部封閉的圓柱形筒體,支撐筒頂部中心豎直穿有可軸向轉(zhuǎn)動(dòng)的中心軸,所述中心軸頂部設(shè)置有把手,中心軸底部通過彈片連接有輥?zhàn)又Ъ埽佔(zhàn)又Ъ苌显O(shè)置有橡膠輥?zhàn)樱凰龅鬃显O(shè)置有可扣在支撐筒底部開口內(nèi)的圓形凸臺(tái)。
上述圓形凸臺(tái)外側(cè)設(shè)置有限位塊,所述支撐筒底部側(cè)壁上設(shè)置有與限位塊相配合的缺口。
本實(shí)用新型的有益效果是:劃片后的硅片在橡膠輥?zhàn)拥哪雺合拢?jīng)劃片后產(chǎn)生的劃痕發(fā)生分裂,得到晶粒;操作簡單,使得裂片的效率高,同
時(shí),能夠提高晶粒的良品率。
附圖說明
圖1?為本實(shí)用新型的支撐筒結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的底座結(jié)構(gòu)示意圖。
其中:1支撐筒,2中心軸,3彈片,4輥?zhàn)又Ъ埽?橡膠輥?zhàn)樱?把手,7缺口,8底座,9限位塊,10圓形凸臺(tái)。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)的描述:
如圖1、2所示,本實(shí)用新型的一種硅片的裂片裝置,包括底座8和支
撐筒,支撐筒1為底部開口且頂部封閉的圓柱形筒體,支撐筒1頂部中心豎直穿有可軸向轉(zhuǎn)動(dòng)的中心軸2,中心軸2頂部設(shè)置有把手6,中心軸2底部通過彈片3連接有輥?zhàn)又Ъ?,輥?zhàn)又Ъ?上設(shè)置有橡膠輥?zhàn)?;底座8上設(shè)置有可扣在支撐筒1底部開口內(nèi)的圓形凸臺(tái)10。圓形凸臺(tái)10外側(cè)設(shè)置有限位塊9,所述支撐筒1底部側(cè)壁上設(shè)置有與限位塊9相配合的缺口7。
使用時(shí),將激光劃片后的硅片放置在底座8的圓形凸臺(tái)10內(nèi),將支撐筒1套在圓形凸臺(tái)10上,其缺口7卡在限位塊9上,防止支撐筒1轉(zhuǎn)動(dòng)。此時(shí)橡膠輥?zhàn)?在彈片3的作用下擠壓在硅片上,操作人員用手轉(zhuǎn)動(dòng)把手6,橡膠輥?zhàn)?旋轉(zhuǎn)并碾壓硅片,從而使硅片經(jīng)劃片后產(chǎn)生的劃痕發(fā)生分裂得到晶粒。
以上所述僅是本專利的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本專利技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和替換,這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本專利的保護(hù)范圍。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





