[實(shí)用新型]大通流電浪涌保護(hù)器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420447133.9 | 申請日: | 2014-08-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204167891U | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹潤森;龍新民 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市艾爾特通訊技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02H9/04 | 分類號(hào): | H02H9/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518049 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 大通 流電 浪涌保護(hù)器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電子設(shè)備保護(hù)裝置技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種大通流電浪涌保護(hù)器。
背景技術(shù)
電浪涌保護(hù)器被廣泛用于全世界高附加值、高端電子電氣設(shè)備的安全防護(hù)。模塊式電浪涌保護(hù)器要經(jīng)過B級(jí)、C級(jí)、D級(jí)三防護(hù)才能達(dá)到1000V左右,普通限壓型浪涌保護(hù)器的漏電電流一般在10uA,隨著時(shí)間的推移,漏電流會(huì)越來越大,直接影響SPD使用的穩(wěn)定性,最終導(dǎo)致SPD失效。
模塊式浪涌保護(hù)器采用單片壓敏電阻作為主放電電路,由于單片壓敏電阻的通流量一直不夠理想(一般單片壓敏電阻最大放電電流在20KA/8/20uS),因壓敏電阻有一致命的缺點(diǎn)——有不規(guī)則的泄漏電流,壓敏電阻工作一段時(shí)間后,特別是性能較差的壓敏電阻,因泄漏電流變大會(huì)加速老化或發(fā)熱自爆。單一結(jié)構(gòu)的壓敏感電阻電浪涌保護(hù)器,反應(yīng)時(shí)間長(>25ns),容易老化,動(dòng)作幾次后,漏電流會(huì)增大,從而導(dǎo)致壓敏電阻過熱,最終導(dǎo)致老化失效,電容較大。單一結(jié)構(gòu)的放電管電浪涌保護(hù)器,殘壓高(2~4KV),反應(yīng)時(shí)間長(>100ns),動(dòng)作電壓精度較低,有工頻續(xù)流,不能直接用在電源上做差模保護(hù),雖然能滿足一般電氣化設(shè)備要求,但隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,電子科技、自動(dòng)化控制技術(shù)以及信息技術(shù)在社會(huì)各行各業(yè)中的廣泛應(yīng)用,敏感的電氣設(shè)備、精密的電子設(shè)備、信號(hào)傳輸設(shè)備業(yè)已成為各行各業(yè)生產(chǎn)正常運(yùn)作的重要保障。如果浪涌保護(hù)器內(nèi)部的元器件質(zhì)量有問題、老化或失效、響應(yīng)時(shí)間肯定會(huì)延長,浪涌保護(hù)器就不能搶先于被保護(hù)設(shè)備內(nèi)部的過電壓、放電元器件啟動(dòng),就失出了保護(hù)意義。
實(shí)用新型內(nèi)容
針對上述問題中存在的不足之處,本實(shí)用新型提供一種大通流電浪涌保護(hù)器,使其解決了目前傳統(tǒng)的模塊式浪涌保護(hù)器殘壓高,漏電流大,響應(yīng)時(shí)間長的技術(shù)難題。
為了解決上述問題,本實(shí)用新型提供一種大通流電浪涌保護(hù)器,其中,包括溫控電路A、溫控電路B、壓敏電阻矩陣電路A、壓敏電阻矩陣電路B、瞬態(tài)二極管矩陣電路A、瞬態(tài)二極管矩陣電路B、前級(jí)矩陣電路A和前級(jí)矩陣電路B,所述壓敏電阻矩陣電路A和所述溫控電路A串行連接,所述壓敏電阻矩陣電路A和所述溫控電路A串連后所在的支路與所述瞬態(tài)二極管矩陣電路A、所述前級(jí)矩陣電路A并聯(lián);所述壓敏電阻矩陣電路B和所述溫控電路B串行連接,所述壓敏電阻矩陣電路B和所述溫控電路B串連后所在的支路與所述瞬態(tài)二極管矩陣電路B、所述前級(jí)矩陣電路B并聯(lián);所述壓敏電阻矩陣電路A和所述壓敏電阻矩陣電路B均采用壓敏電阻并聯(lián)結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選的,所述前級(jí)矩陣電路A一端與地線相連接,另一端與相線相連接;所述前級(jí)矩陣電路B一端與零線相連接,另一端與相線相連接。
優(yōu)選的,所述瞬態(tài)二極管矩陣電路A一端與地線相連接,另一端與相線相連接;所述瞬態(tài)二極管矩陣電路B一端與零線相連接,另一端與相線相連接。
優(yōu)選的,所述壓敏電阻矩陣電路A的一端與地線相連接,另一端與所述溫控電路A的一端連接,所述溫控電路A的另一端與相線連接;所述壓敏電阻矩陣電路B的一端與零線相連接,另一端與所述溫控電路B的一端連接,所述溫控電路B的另一端與相線相連接。
優(yōu)選的,所述壓敏電阻并聯(lián)結(jié)構(gòu)的壓敏電阻數(shù)量為至少4個(gè)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):
本實(shí)用新型采用壓敏電阻并聯(lián)結(jié)構(gòu),多個(gè)壓敏電阻并聯(lián)給出的殘壓要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于單一壓敏電阻的殘壓,殘壓越低,其安全性就越高,只有殘壓小到最大工作電壓的2倍以下,才能保證被保護(hù)設(shè)備不被損壞;同時(shí)也解決了目前傳統(tǒng)的模塊式浪涌保護(hù)器殘壓高,漏電流大,響應(yīng)時(shí)間長的技術(shù)難題。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本實(shí)用新型的實(shí)施例的壓敏電阻并聯(lián)結(jié)構(gòu)示意圖。
主要元件符號(hào)說明:
1-前級(jí)矩陣電路A???????2-前級(jí)矩陣電路B
3-溫控電路A???????????4-溫控電路B
5-壓敏電阻矩陣電路A???6-壓敏電阻矩陣電路B
7-瞬態(tài)二極管矩陣電路A?8-瞬態(tài)二極管矩陣電路B
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,下面結(jié)合附圖與實(shí)例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明,但所舉實(shí)例不作為對本實(shí)用新型的限定。
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