[實用新型]基于環形結構的正交推-推壓控振蕩器

有效

• 申請號: 201420442168.3
• 申請日: 2014-08-06
• 公開（公告）號: CN203984394U
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 高海軍;孫玲玲
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H03L7/099
• 分類號: H03L7/099
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.?基于環形結構的正交推-推壓控振蕩器，其特征在于：包括四級延遲單元，第一級延遲單元的第一輸出端連接第二級延遲單元的同相輸入端，第一級延遲單元的第二輸出端連接第二級延遲單元的反相輸入端；第二級延遲單元的第一輸出端連接第三級延遲單元的同相輸入端，第二級延遲單元的第二輸出端連接第三級延遲單元的反相輸入端；第三級延遲單元的第一輸出端連接第四級延遲單元的同相輸入端，第三級延遲單元的第二輸出端連接第四級延遲單元的反相輸入端；第四級延遲單元的第一輸出端連接第一級延遲單元的反相輸入端，第四級延遲單元的第二輸出端連接第一級延遲單元的同相輸入端；第一級延遲單元的外部電壓控制端、第二級延遲單元的外部電壓控制端、第三級延遲單元的外部電壓控制端、第四級延遲單元的外部電壓控制端連接，作為正交推-推壓控振蕩器的電壓控制端；第一級延遲單元的第三輸出端作為正交推-推壓控振蕩器的第一輸出端；第二級延遲單元的第三輸出端作為正交推-推壓控振蕩器的第二輸出端；第三級延遲單元的第三輸出端作為正交推-推壓控振蕩器的第三輸出端；第四級延遲單元的第三輸出端作為正交推-推壓控振蕩器的第四輸出端。

2.根據權利要求1所述的基于環形結構的正交推-推壓控振蕩器，其特征在于：每級延遲單元包括二個NMOS管、二個PMOS管、兩個變容管、兩個電感和一個諧波選擇元件，第一NMOS管的柵極、第二NMOS管的漏極、第二PMOS管的漏極、第二變容管的一端和第二電感的一端連接，作為延遲單元的第二輸出端；第二NMOS管的柵極、第一NMOS管的漏極、第一PMOS管的漏極、第一變容管的一端和第一電感的一端連接，作為延遲單元的第一輸出端；第一PMOS管的柵極接延遲單元的同相輸入端；第二PMOS管的柵極接延遲單元的反相輸入端；第一電感的另一端與第二電感的另一端相連；第一變容管的另一端與第二變容管的另一端連接，作為外部電壓控制端；第一PMOS管、第二PMOS管的源極接電源VDD；第一NMOS管、第二NMOS管的源極與頻率選擇元件的一端相連，作為延遲單元的第三輸出端；諧波選擇元件的另一端接地。

3.根據權利要求2所述的基于環形結構的正交推-推壓控振蕩器，其特征在于：所述的諧波選擇元件為一根傳輸線，長度為四級延遲單元所構成環路的震蕩信號二次諧波波長的1/4。