[實用新型]一種摻雜的肖特基勢壘器件有效
| 申請號： | 201420442005.5 | 申請日： | 2014-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN204375759U | 公開（公告）日： | 2015-06-03 |
| 發明（設計）人： | 洪旭峰 | 申請（專利權）人： | 上海芯石微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 肖特基勢壘 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種摻雜的肖特基勢壘器件，其特征在于：包括外延層（N-）、襯底層（N+），在外延層（N-）上形成肖特基勢壘層（P-MSi），肖特基勢壘層采用摻雜磷的金屬硅化物作為勢壘層，肖特基勢壘層上蒸鍍金屬形成陽極（top?metal），襯底層（N+）背面減薄后蒸鍍金屬形成陰極(back?metal)，勢壘區邊緣采用摻硼形成保護環（P+）。
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