[實用新型]模擬熱電阻輸出卡件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420426216.X
• 申請日: 2014-07-30
• 公開（公告）號: CN204178173U
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發(fā)明（設計）人: 麻貴峰;張智;王軍;張佩;李文;丁娟;曾凡斐;孫廣東;張立然;徐卓彥
• 申請（專利權）人: 北京國電智深控制技術有限公司
• 主分類號: G05B19/042
• 分類號: G05B19/042;G01K7/16
• 代理公司: 北京安信方達知識產(chǎn)權代理有限公司 11262
• 代理人: 李紅爽;栗若木

技術領域

本實用新型涉及電子電路領域，尤其涉及一種模擬熱電阻輸出卡件。

背景技術

在分散控制系統(tǒng)(DCS)與可編程控制器及系統(tǒng)(PLC)等工業(yè)控制系統(tǒng)中，測量熱電阻(典型的如PT100、CU50)的專用卡件RTD是非常常見的一種卡件，該種卡件通過檢測熱電阻上的電壓值來間接得到被測溫度，從而進入控制系統(tǒng)完成監(jiān)視、控制甚至是保護等諸多功能。

鑒于該種卡件的重要性，需要經(jīng)常性校準以保證精度，傳統(tǒng)方式是采用電阻箱來進行校準。

但該校準方式有以下不足：

1.精度不高

一般的，RTD卡件的精度為0.1％，按照測量原理，校準該卡件的裝置的精度至少為0.05％。

例如常見的ZX67型高精度電阻箱的主要精度指標如表1所示。

表1

X1000X100X10X1X0.1X0.01±0.01％±0.01％±0.05％±0.2％±1％±5％

由表1可知，僅X10以上的檔位可以滿足該精度要求。

同時，參考熱電阻分度表，可以看到精度為小數(shù)點后3位(而電阻箱精度為小數(shù)點后2位)，且1度之間的差值僅有0.3-0.4歐姆。

綜上可知，采用電阻箱的校準方法明顯存在精度問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型提供了一種模擬熱電阻輸出卡件，解決了現(xiàn)有校準方法的精度問題。

一種模擬熱電阻輸出卡件，包括上位機、多路彼此獨立的模擬熱電阻通道、高級精簡指令集機器(ARM)微控制單元(MCU)和連接于該ARM?MCU的隔離器件；

每一路模擬熱電阻通道包括一顆磁隔離芯片，一顆數(shù)字/模擬(DA)芯片、一顆多通道集成運放芯片、信號調(diào)理電阻網(wǎng)絡、參考電阻和端子，所述磁隔離芯片與所述DA芯片相連，所述DA芯片通過所述多通道集成運放芯片連接至所述端子，所述多通道集成運放芯片與所述參考電阻、信號調(diào)理電阻網(wǎng)絡連接；

所述多路彼此獨立的模擬熱電阻通道的DA芯片通過SPI總線連接至所述隔離器件，進而與所述ARM?MCU連接；

所述上位機與所述ARM?MCU連接，所述上位機向所述ARM?MCU發(fā)送攜帶有校準系數(shù)信息的自校準指令，配合外部6位半高精度萬用表完成所述模擬熱電阻輸出裝置自校準；

所述上位機指示將所述校準系數(shù)信息寫入所述ARM?MCU內(nèi)置的FLASH，或從該FLASH中讀取信息。

優(yōu)選的，該系統(tǒng)包括4路彼此獨立的模擬熱電阻通道。

優(yōu)選的，所述內(nèi)置于ARM?MCU的FLASH接受所述上位機寫入的校準系數(shù)信息；

所述上位機向所述ARM?MCU發(fā)送指示該ARM?MCU從所述FLASH中讀取校準系數(shù)信息的通信指令。

優(yōu)選的，所述端子為支持2線或3線或4線輸出的端子。

優(yōu)選的，該裝置的工作電壓為24V。