[實用新型]一種低頻偏的石英晶體諧振器有效
| 申請號: | 201420418799.1 | 申請日: | 2014-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN204031095U | 公開(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發明(設計)人: | 陳金榮 | 申請(專利權)人: | 廣東惠倫晶體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/19 | 分類號: | H03H9/19;H03H9/02 |
| 代理公司: | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215 | 代理人: | 李玉平 |
| 地址: | 523750 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低頻 石英 晶體 諧振器 | ||
技術領域
本實用新型涉及石英晶體諧振器技術領域,具體涉及一種低頻偏的石英晶體諧振器。
背景技術
石英晶體諧振器是利用石英晶體的壓電效應而制成的諧振元件,由于石英晶體諧振器具有頻率穩定度高的特點,在電子領域一直占有比較重要的地位。信息技術產業的高速發展,更是促使了這種石英晶體諧振器的蓬勃發展。它在遠程通信、移動電話系統、全球定位系統、導航、遙控、航空航天、高速計算機、精密計測器以及消費類民用電子產品中占有重要的地位。
石英晶體諧振器通常由石英晶片和銀電極構成,但是,石英晶片與銀電極之間附著不牢固,導致石英晶體諧振器頻偏。
發明內容
為了克服現有技術中存在的缺點和不足,本實用新型的目的在于提供一種低頻偏的石英晶體諧振器,該石英晶體諧振器能減少頻偏,提高生產效益,且長期頻率穩定性高。
本實用新型的目的通過下述技術方案實現:一種低頻偏的石英晶體諧振器,包括基座和固定于基座內的晶片本體,晶片本體的上表面、下表面分別設置有上電極層和下電極層,晶片本體與上電極層、下電極層之間分別設置有上鍍鉻層、下鍍鉻層,上電極層的中心和下電極層的中心位于同一豎直面上,上電極層的面積大于下電極層的面積,晶片本體的中線和上電極層的中線之間的距離為0.2-0.8mm。
其中,所述上電極層、下電極層的厚度相等,均為3000-6000埃。
其中,所述上電極層、下電極層的厚度相等,均為4500埃。
其中,所述上鍍鉻層、下鍍鉻層的厚度相等,均為40-50埃。
其中,所述上鍍鉻層、下鍍鉻層的厚度相等,均為45埃。
其中,所述上電極層的引出端與所述下電極層的引出端均位于石英晶體同側端。
其中,所述上電極層的引出端與所述下電極層的引出端分設在石英晶體兩個對應端。
其中,所述基座內設置有第一涂覆區域和第二涂覆區域,第一涂覆區域設置有第一導電膠,第二涂覆區域設置有第二導電膠,晶片本體分別通過第一導電膠、第二導電膠與基座粘接固定,第一導電膠涂布于第一涂覆區域的左上角,第二導電膠涂布于第二涂覆區域的右上角。
其中,所述第一導電膠和所述第二導電膠的高度均為40-60μm;所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區域、第二涂覆區域的頂面之間的距離為10-30μm。
其中,所述晶片本體呈雙凸形,晶片本體的長度為1.1-1.0mm,寬度為0.8-0.65mm。
本實用新型的有益效果在于:本實用新型采用上鍍鉻層和下鍍鉻層,鍍鉻層的設置使石英晶片與鍍銀層電極附著更牢固,不易脫落,能減少頻偏,提高生產效益,且長期頻率穩定性高。本實用新型通過上、下電極層的不平衡設計,即面積差異,保證產品在基本波有良好的電氣特性的同時晶體在三次諧波上的頻率也遠離產品的三倍頻率,且制造過程中對被銀頻率的要求不高,成品測試時不需再進行三倍頻率的二次測試;上電極層的中心和下電極層的中心位于同一豎直面上,保證晶體振動時的平衡。本實用新型可以針對不同規格產品設計相應的偏移量,產品的電阻集中、溫度測試無跳點,產品品質穩定。
附圖說明
圖1是本實用新型實施例一的結構示意圖。
圖2是本實用新型實施例一所述晶片本體的主視圖。
圖3是本實用新型實施例一所述晶片本體的結構示意圖。
圖4是本實用新型實施例二的局部結構示意圖。
圖5是本實用新型實施例二所述晶片本體的俯視圖。
圖6是本實用新型實施例二所述晶片本體的主視圖。
圖7是本實用新型實施例二所述晶片本體的右視圖。
附圖標記為:1—晶片本體、2—基座、11—上電極層、12—下電極層、131—上鍍鉻層、132—下鍍鉻層、141—第一涂覆區域、142—第二涂覆區域、151—第一導電膠、152—第二導電膠。
具體實施方式
為了便于本領域技術人員的理解,下面結合實施例及附圖1-7對本實用新型作進一步的說明,實施方式提及的內容并非對本實用新型的限定。
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