[實(shí)用新型]增強(qiáng)型溝槽式整流器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420417571.0
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN203983297U
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐吉程;毛振東;薛璐
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

1.?一種增強(qiáng)型溝槽式整流器件，在俯視平面上，該器件的有源區(qū)由若干個(gè)肖特基勢壘二極管單胞（1）并聯(lián)構(gòu)成，此肖特基勢壘二極管單胞（1）的縱向截面上，每個(gè)肖特基勢壘二極管單胞（1）包括位于硅片背面下金屬層（2），位于所述下金屬層（2）上方重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型的襯底層（3），此襯底層（3）與下金屬層（2）之間形成歐姆接觸，位于所述襯底層（3）上方設(shè)有輕摻雜第一導(dǎo)電類型的外延層（4），位于所述外延層（4）上方設(shè)有上金屬層（5），一溝槽（6）從所述外延層（4）上表面并延伸至外延層（4）中部，相鄰溝槽（6）之間外延層（4）區(qū)域形成第一導(dǎo)電類型的單晶硅凸臺（7），此單晶硅凸臺（7）頂面與上金屬層（5）之間形成肖特基勢壘接觸面（15）；其特征在于：一柵溝槽（8）位于所述溝槽（6）內(nèi)，此柵溝槽（8）內(nèi)填充有導(dǎo)電多晶硅（9）并與上金屬層（5）之間形成形成歐姆接觸面（14），所述導(dǎo)電多晶硅（9）和外延層（4）之間均通過二氧化硅（10）隔離；

位于所述單晶硅凸臺（7）內(nèi)并貼附于溝槽（6）側(cè)表面具有第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)（11），此第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)（11）頂部與外延層（4）上表面之間具有重?fù)诫s第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)（12），所述第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)（11）和重?fù)诫s第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)（12）均與外延層（4）形成pn結(jié)界面。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)型溝槽式整流器件，其特征在于：所述第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)（11）和重?fù)诫s第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)（12）另一側(cè)具有第一導(dǎo)電類型的外延分層（13），此外延分層（13）下表面高于所述第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)（11）下表面，此外延分層（13）位于外延層（4）上部且外延分層（13）的摻雜濃度大于外延層（4）的摻雜濃度。