[實用新型]一種具有異質埋層的RF LDMOS器件

有效

• 申請號: 201420417035.0
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN204118076U
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 劉正東;曾大杰;張耀輝
• 申請（專利權）人: 昆山華太電子技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 范晴

1.一種具有異質埋層的RF?LDMOS器件，包括RF?LDMOS基本結構（1），所述RF?LDMOS基本結構（1）包括最下層的重摻雜襯底（2）、設于重摻雜襯底（2）上的外延層（3）以及設于外延層（3）上方的柵（15），所述的外延層（3）內設置有重摻雜源區（8）、重摻雜漏區（10），所述的重摻雜源區（8）和重摻雜漏區（10）分別位于柵（15）的兩側，在所述的外延層（3）內位于所述的重摻雜源區（8）和重摻雜漏區（10）之間設有溝道區（6）和漏漂移區（9），所述的漏漂移區（9）與重摻雜漏區（10）相接觸，所述的重摻雜源區（8）在一側與溝道區（6）相接觸，在另一側與重摻雜區（7）相接觸，所述的溝道區（6）下方與阱區（5）相接觸，所述的柵（15）被氧化層（12）包圍，其頂部設有場板（11），所述的重摻雜源區（8）和重摻雜漏區（10）上方兩側分別設有源端金屬引線（14）和漏端金屬引線（13），所述的源端金屬引線與氧化層（12）、重摻雜源區（8）、重摻雜區（7）和導電溝槽（4）相接觸，所述的漏端金屬引線與氧化層（12）和重摻雜漏區（10）相接觸，所述的導電溝槽（4）為連接源端金屬引線（14）和重摻雜襯底（2）的導電通道，所述的導電溝槽（4）與源端金屬引線（14）、重摻雜區（7）、溝道區（6）、阱區（5）、外延層（3）和重摻雜襯底（2）相接觸，其特征在于，所述的重摻雜襯底（2）與外延層（3）之間設有異質埋層（16）。

2.根據權利要求1所述的具有異質埋層的RF?LDMOS器件，其特征在于，所述異質埋層（16）的摻雜類型與重摻雜襯底（2）和外延層（3）相反。

3.根據權利要求1所述的具有異質埋層的RF?LDMOS器件，其特征在于，所述異質埋層（16）的厚度遠小于外延層（3）的厚度，但摻雜濃度更大。

4.根據權利要求1所述的具有異質埋層的RF?LDMOS器件，其特征在于，所述異質埋層（16）有兩層，每一層的異質埋層（16）的摻雜類型相同，與重摻雜襯底（2）接觸的第一異質埋層（16）的摻雜濃度比與外延層（3）接觸的第二異質埋層（17）的摻雜濃度高。