[實(shí)用新型]具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420410605.3
• 申請(qǐng)日: 2014-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN203983286U
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪慧;李夢(mèng);劉倩文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.?具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器，包括p型半導(dǎo)體襯底、埋氧化層、n型n-well阱區(qū)、p型歐姆接觸區(qū)、環(huán)形地電極、環(huán)形電壓極、n型歐姆接觸區(qū)、輸出電極、條柵型的PCOMP、頂層氧化層和多晶硅；

其特征在于：距離p型半導(dǎo)體襯底表面2?um處設(shè)置有埋氧化層，p型半導(dǎo)體襯底上表面設(shè)有n型n-well阱區(qū)，環(huán)形p型歐姆接觸區(qū)設(shè)置在p型半導(dǎo)體襯底上表面且位于n型n-well阱區(qū)外側(cè)，環(huán)形地電極設(shè)置在環(huán)形p型歐姆接觸區(qū)上，環(huán)形的n型歐姆接觸區(qū)設(shè)置在p型半導(dǎo)體襯底上表面且位于n型n-well阱區(qū)內(nèi)側(cè)，環(huán)形電壓極設(shè)置在環(huán)形n型歐姆接觸區(qū)上，在p型半導(dǎo)體襯底上表面且位于環(huán)形電壓極內(nèi)側(cè)設(shè)置有多根互相平行的條柵型的PCOMP?；每根條柵型的PCOMP上設(shè)置輸出電極；在p型半導(dǎo)體襯底1上表面各個(gè)電極之間覆蓋一層氧化層，在氧化層的表面覆蓋一層多晶硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器，其特征在于：所述的p型半導(dǎo)體襯底為藍(lán)寶石襯底或硅襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器，其特征在于：所述的埋氧化層厚度為140nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器，其特征在于：所述的n型n-well阱區(qū)厚度為1.5um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器，其特征在于：所述的條柵型的PCOMP厚度為1um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器，其特征在于：所述的頂層的氧化層厚度140nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器，其特征在于：所述的多晶硅厚度為60nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器，其特征在于：所述的環(huán)形地電極、環(huán)形電壓極和輸出電極的材料分別為Al或者Cu的一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器，其特征在于：條柵型的PCOMP間的距離為1um。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強(qiáng)效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器，其特征在于：?所述的埋氧化層、n型n-well阱區(qū)、條柵型的PCOMP、環(huán)形p型歐姆接觸區(qū)和n型歐姆接觸區(qū)的外延生長方式采用注氧隔離實(shí)現(xiàn)。