[實用新型]具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420410605.3 | 申請日: | 2014-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN203983286U | 公開(公告)日: | 2014-12-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 洪慧;李夢;劉倩文 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 杜軍 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 諧振腔 增強 效應(yīng) 條柵型 soi 光電 探測器 | ||
1.?具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器,包括p型半導(dǎo)體襯底、埋氧化層、n型n-well阱區(qū)、p型歐姆接觸區(qū)、環(huán)形地電極、環(huán)形電壓極、n型歐姆接觸區(qū)、輸出電極、條柵型的PCOMP、頂層氧化層和多晶硅;
其特征在于:距離p型半導(dǎo)體襯底表面2?um處設(shè)置有埋氧化層,p型半導(dǎo)體襯底上表面設(shè)有n型n-well阱區(qū),環(huán)形p型歐姆接觸區(qū)設(shè)置在p型半導(dǎo)體襯底上表面且位于n型n-well阱區(qū)外側(cè),環(huán)形地電極設(shè)置在環(huán)形p型歐姆接觸區(qū)上,環(huán)形的n型歐姆接觸區(qū)設(shè)置在p型半導(dǎo)體襯底上表面且位于n型n-well阱區(qū)內(nèi)側(cè),環(huán)形電壓極設(shè)置在環(huán)形n型歐姆接觸區(qū)上,在p型半導(dǎo)體襯底上表面且位于環(huán)形電壓極內(nèi)側(cè)設(shè)置有多根互相平行的條柵型的PCOMP?;每根條柵型的PCOMP上設(shè)置輸出電極;在p型半導(dǎo)體襯底1上表面各個電極之間覆蓋一層氧化層,在氧化層的表面覆蓋一層多晶硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器,其特征在于:所述的p型半導(dǎo)體襯底為藍寶石襯底或硅襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器,其特征在于:所述的埋氧化層厚度為140nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器,其特征在于:所述的n型n-well阱區(qū)厚度為1.5um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器,其特征在于:所述的條柵型的PCOMP厚度為1um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器,其特征在于:所述的頂層的氧化層厚度140nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器,其特征在于:所述的多晶硅厚度為60nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器,其特征在于:所述的環(huán)形地電極、環(huán)形電壓極和輸出電極的材料分別為Al或者Cu的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器,其特征在于:條柵型的PCOMP間的距離為1um。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有諧振腔增強效應(yīng)條柵型的SOI光電探測器,其特征在于:?所述的埋氧化層、n型n-well阱區(qū)、條柵型的PCOMP、環(huán)形p型歐姆接觸區(qū)和n型歐姆接觸區(qū)的外延生長方式采用注氧隔離實現(xiàn)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





