[實用新型]像素驅動電路、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201420406529.9
• 申請日: 2014-07-22
• 公開（公告）號: CN204029330U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 王穎;殷新社;孫亮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，特別涉及一種像素驅動電路、陣列基板及顯示裝置。

背景技術

有機電致發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode，OLED)作為一種電流型發光器件已越來越多地被應用于高性能有源矩陣發光有機電致顯示管中。傳統的無源矩陣有機電致發光顯示管(Passive?Matrix?OLED)隨著顯示尺寸的增大，需要更短的單個像素的驅動時間，因而需要增大瞬態電流，增加功耗。同時大電流的應用會造成氧化銦錫金屬氧化物線上壓降過大，并使OLED工作電壓過高，進而降低其效率。而有源矩陣有機電致發光顯示管(Active?Matrix?OLED，AMOLED)通過開關晶體管逐行掃描輸入OLED電流，可以很好地解決這些問題。

在AMOLED的像素電路設計中，主要需要解決的問題是各AMOLED像素驅動單元所驅動的OLED器件亮度的非均勻性。

首先，AMOLED采用薄膜晶體管(Thin-Film?Transistor，TFT)構建像素驅動單元為發光器件提供相應的驅動電流。現有技術中，大多采用低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。與一般的非晶硅薄膜晶體管相比，低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管具有更高的遷移率和更穩定的特性，更適合應用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工藝的局限性，在大面積玻璃基板上制作的低溫多晶硅薄膜晶體管，常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學參數上具有非均勻性，這種非均勻性會轉化為OLED器件的驅動電流差異和亮度差異，并被人眼所感知，即色不均現象。氧化物薄膜晶體管雖然工藝的均勻性較好，但是與非晶硅薄膜晶體管類似，在長時間加壓和高溫下，其閾值電壓會出現漂移，由于顯示畫面不同，面板各部分薄膜晶體管的閾值漂移量不同，會造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關，因此常呈現為殘影現象。

由于OLED的發光器件是電流驅動器件，因此，在驅動發光器件發光的像素驅動單元中，其驅動晶體管的閾值特性對驅動電流和最終顯示的亮度影響很大。驅動晶體管受到電壓應力和光照都會使其閾值發生漂移，這種閥值漂移會在顯示效果上體現為亮度不均。

另外，現有AMOLED的像素電路為了消除驅動晶體管閾值電壓差所造成的影響，通常會將像素電路的結構設計的比較復雜，這會直接導致AMOLED的像素電路制作良品率的降低。

因此，為解決上述問題，本實用新型急需提供一種像素驅動單元及其驅動方法、像素電路。

實用新型內容

(一)要解決的技術問題

本實用新型要解決的技術問題是：如何實現一種具有補償和消除驅動晶體管閾值電壓差所造成的顯示不均的能力的AMOLED像素驅動電路。

(二)技術方案

為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種像素驅動電路，包括：數據線、柵線、第一電源線、第二電源線、參考信號線、發光器件、驅動晶體管、存儲電容、復位單元、數據寫入單元、補償單元及發光控制單元；

所述數據線用于提供數據電壓；

所述柵線用于提供掃描電壓；

所述第一電源線用于提供第一電源電壓，所述第二電源線用于提供第二電源電壓，所述參考信號線用于提供參考電壓；

所述復位單元連接存儲電容，用于復位所述存儲電容兩端的電壓為預定信號電壓；

所述數據寫入單元連接柵線、數據線及所述存儲電容的第二端，用于向所述存儲電容的第二端寫入包括數據電壓的信息，

所述補償單元連接存儲電容的第一端和驅動晶體管，用于向存儲電容的第一端寫入包括驅動晶體管閾值電壓的信息以及第一電源電壓的信息；

所述發光控制單元連接所述參考信號線、所述存儲電容的第二端、驅動晶體管和所述發光器件，用于向所述存儲電容的第二端寫入所述參考電壓；

所述存儲電容的第一端連接驅動晶體管的柵極，用于將包括數據電壓的信息轉寫至驅動晶體管的柵極；

所述驅動晶體管連接第一電源線，所述發光器件連接第二電源線，所述驅動晶體管用于驅動發光器件發光。

其中，所述復位單元連接所述第一電源線，所述復位單元包括：復位控制線、復位信號線、第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管的柵極連接所述復位控制線、源極連接所述復位信號線、漏極連接所述存儲電容的第一端，所述第一晶體管用于將復位信號線電壓寫入所述存儲電容的第一端；所述第二晶體管的柵極連接所述復位控制線、源極連接所述第一電源線、漏極連接所述存儲電容的第二端，所述第二晶體管用于將第一電源電壓寫入所述存儲電容的第二端。