[實(shí)用新型]一種高壓支柱瓷絕緣子超聲相控陣檢測(cè)用參考試塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420405940.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204389441U | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張昕;李軍;苗興;袁芳;楊景健;高健;楊占君;李玉鵬;王斌;趙明忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 國(guó)家電網(wǎng)公司;國(guó)網(wǎng)甘肅省電力公司;國(guó)網(wǎng)甘肅省電力公司電力科學(xué)研究院 |
| 主分類號(hào): | G01N29/04 | 分類號(hào): | G01N29/04 |
| 代理公司: | 北京中恒高博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11249 | 代理人: | 姜萬(wàn)林 |
| 地址: | 100031 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高壓 支柱 絕緣子 超聲 相控陣 檢測(cè) 參考 | ||
1.一種高壓支柱瓷絕緣子超聲相控陣檢測(cè)專用參考試塊,其特征在于,采用φ1mm通孔和5mm深月牙槽人工反射體作為檢測(cè)基準(zhǔn)靈敏度調(diào)整依據(jù);
所述試塊分為Ⅰ區(qū)、Ⅱ區(qū)和Ⅲ區(qū)三個(gè)區(qū)域;
在試塊Ⅰ區(qū)設(shè)置8個(gè)φ1mm通孔,聲束從試塊本體上下兩面分別入射,距探測(cè)面垂直深度范圍為30-180mm,間距10mm;用于超聲相控陣縱波檢測(cè)瓷瓶?jī)?nèi)部缺陷時(shí)檢測(cè)靈敏度調(diào)整和DAC曲線制作;
在試塊Ⅰ區(qū)上、下兩檢測(cè)面分別設(shè)置一個(gè)模擬裂紋的月牙槽,槽長(zhǎng)度30mm,寬度為0.4±0.02mm,最大深度5±0.02mm;作為表面及近表面缺陷檢測(cè)靈敏度調(diào)整和DAC曲線制作時(shí)的參考反射體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓支柱瓷絕緣子超聲相控陣檢測(cè)專用參考試塊,其特征在于,在試塊Ⅱ區(qū)設(shè)有9個(gè)φ1mm通孔,呈1/4圓周分布,半徑為50mm,用于相控陣檢測(cè)角度補(bǔ)償驗(yàn)證測(cè)試,也用于作為現(xiàn)場(chǎng)臨時(shí)角度增益補(bǔ)償曲線制作依據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓支柱瓷絕緣子超聲相控陣檢測(cè)用參考試塊,其特征在于,在試塊Ⅲ區(qū)設(shè)置有2個(gè)月牙槽,寬度為0.4±0.02mm,最大深度分別為3±0.02mm和4±0.02mm,作為實(shí)際檢測(cè)時(shí)表面及近表面缺陷反射對(duì)比依據(jù);也能夠起到檢測(cè)系統(tǒng)表面及近表面缺陷最大檢測(cè)靈敏度驗(yàn)證作用。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓支柱瓷絕緣子超聲相控陣檢測(cè)用參考試塊,其特征在于,試塊Ⅰ區(qū)將深度5mm月牙槽和8個(gè)φ1mm通孔布置在同一軸線上,儀器調(diào)整時(shí),表面及近表面缺陷人工反射體同時(shí)顯示,一次完成調(diào)試的特點(diǎn)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于國(guó)家電網(wǎng)公司;國(guó)網(wǎng)甘肅省電力公司;國(guó)網(wǎng)甘肅省電力公司電力科學(xué)研究院;,未經(jīng)國(guó)家電網(wǎng)公司;國(guó)網(wǎng)甘肅省電力公司;國(guó)網(wǎng)甘肅省電力公司電力科學(xué)研究院;許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420405940.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





