[實(shí)用新型]靜電檢測(cè)結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420402769.1 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204167264U | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葉逸舟;朱曉崢;楊曉松 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電 檢測(cè) 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種靜電檢測(cè)結(jié)構(gòu),用于檢測(cè)晶圓表面電荷,其特征在于,包括:基底、形成于所述基底上的第一金屬塊以及形成于所述基底上并位于所述第一金屬塊一側(cè)的多個(gè)間隔分布的第二金屬塊,所述第一金屬塊與多個(gè)第二金屬塊距離基底的高度相同;所述多個(gè)第二金屬塊與第一金屬塊之間的間距不等;所述第一金屬塊通過互連線與基底電性相通。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電檢測(cè)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二金屬塊為矩形,長(zhǎng)度為l,寬度為w,且w>2l。
3.如權(quán)利要求2所述的靜電檢測(cè)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一金屬塊和第二金屬塊的厚度h相同。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電檢測(cè)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述多個(gè)第二金屬塊到第一金屬塊之間的距離呈等差分布,最小的距離為d0,d0<sqr(h×l)。
5.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的靜電檢測(cè)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述靜電檢測(cè)結(jié)構(gòu)還包括置于第二金屬塊一側(cè)的標(biāo)尺。
6.如權(quán)利要求1所述的靜電檢測(cè)結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基底、第一金屬塊、多個(gè)第二金屬塊及互連線之間填充有介電層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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