[實用新型]一種具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420400403.0 | 申請日： | 2014-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN204008531U | 公開（公告）日： | 2014-12-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 沈方平;張珽;祁明鋒;劉瑞;丁海燕;谷文 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州能斯達(dá)電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/00 | 分類號： | G01N27/00;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 絕熱 溝槽 mems 氣體 傳感器 | ||
1.一種具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器，其特征在于，包括：
單晶硅襯底(1)；
絕熱溝槽(2)，形成于所述單晶硅襯底(1)的上表面且具有一定深度，所述絕熱溝槽(2)包括一組或多組溝槽，其中每組溝槽包括多個平行排列的溝槽；
下絕緣層(3)，覆蓋所述單晶硅襯底(1)的上表面；
加熱層(4)，設(shè)置于所述下絕緣層(3)的上表面，且所述加熱層(4)位于所述絕熱溝槽(2)的正上方區(qū)域內(nèi)；
上絕緣層(5)，覆蓋所述加熱層(4)的上表面；
氣體敏感層(9)，設(shè)置于所述上絕緣層(5)的上表面，且所述氣體敏感層(9)位于所述加熱層(4)的正上方區(qū)域內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器，其特征在于，所述氣體傳感器還包括：
溫度敏感層(7)，設(shè)置于所述上絕緣層(5)的上表面；
氣體敏感層電極(8)，設(shè)置于所述上絕緣層(5)的上表面，所述氣體敏感層電極(8)和所述溫度敏感層(7)位于所述加熱層(4)正上方區(qū)域內(nèi)的不同位置，且所述氣體敏感層(9)覆蓋所述氣體敏感層電極(8)及兩電極之間的所述上絕緣層(5)的上表面，從而連通所述氣體敏感層電極(8)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器，其特征在于，所述絕熱溝槽(2)包括兩組相交的直線狀溝槽，每組溝槽包括多個相互平行的溝槽。
4.如權(quán)利要求1或2所述的具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器，其特征在于，所述絕熱溝槽(2)包括多個由外向內(nèi)漸變縮小的回狀溝槽。
5.如權(quán)利要求1或2所述的具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器，其特征在于，所述絕熱溝槽(2)的溝槽深度為20-100μm，寬度為300-1000nm。
6.如權(quán)利要求1或2所述的具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器，其特征在于，所述絕熱溝槽(2)的每組溝槽的間距為1-5μm。
7.如權(quán)利要求1或2所述的具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器，其特征在于，所述絕熱溝槽(2)的表面形成有二氧化硅薄膜(21)。
8.如權(quán)利要求7所述的具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器，其特征在于，所述二氧化硅薄膜(21)的厚度為100-500nm。
9.如權(quán)利要求1或2所述的具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器，其特征在于，所述加熱層(4)為多晶硅加熱絲層或金屬鉑加熱層。
10.如權(quán)利要求1或2所述的具有絕熱溝槽的MEMS氣體傳感器，其特征在于，所述上絕緣層(5)的邊緣具有若干缺口形成加熱層引線窗(6)。
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