[實(shí)用新型]一種晶體振蕩器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420397448.7
• 申請(qǐng)日: 2014-07-17
• 公開（公告）號(hào): CN204131475U
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇偉;吳亞華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市福浪電子有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/19
• 分類號(hào): H03H9/19;H03H9/02
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275
• 代理人: 張明

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電子元件領(lǐng)域，具體說的是一種晶體振蕩器。?

背景技術(shù)

SMD晶體諧振器(以下稱“晶振”)在使用中，最為重要的是頻率精度，包括常溫下的精度和溫度變化時(shí)頻率變化量(稱為溫度特性，做成曲線是隨溫度變化的三次曲線，要求是在曲線中沒有跳變，一般要求在±20ppm內(nèi))。在車載、安防等應(yīng)用中，為了保證在工作溫度下頻率在要求范圍內(nèi)，對(duì)溫度特性的要求也隨之加嚴(yán)。?

晶振主要性能由其中的石英晶片決定，未加工的晶片由于其導(dǎo)電性能差，在晶體諧振器制造中都要在晶片部分表面鍍上一層銀，作為晶片的電極(此電極的面積小于晶片表面積)。其溫度特性，是由石英晶片的自身特性和鍍膜電極的尺寸設(shè)計(jì)決定的。特別在低頻晶振中，既要保證減低電阻值又要提高溫度特性。?

目前，低頻小尺寸晶體，以SMD5032-8MHz產(chǎn)品為例，鍍膜電極一般使用長(zhǎng)×寬＝2.2mm×1.2mm(誤差在±0.05mm)的電極，電阻平均值偏大，約42.71Ω，且溫度特性不能滿足要求，一般在±30ppm內(nèi)，無法滿足±20ppm的要求。?

因此，有必要提供一種能夠滿足±20ppm的溫度特性要求，具有良好溫度特性的小電阻晶體振蕩器。?

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是：提供一種具有良好溫度特性、小電阻的晶體振蕩器。?

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：?

一種晶體振蕩器，包括晶片和基座，所述基座上固設(shè)有所述晶片；所述晶片上設(shè)有長(zhǎng)方形鍍膜主電極，以及主電極引出端和副電極引出端；所述主電極?引出端和副電極引出端位于所述晶片的周邊，所述主電極引出端與主電極相連；?

所述長(zhǎng)方形鍍膜主電極的長(zhǎng)度為2.2-2.3mm，寬度為1.6-1.7mm。?

進(jìn)一步的，所述晶片上的長(zhǎng)方形鍍膜主電極具有兩層鍍膜，第一層鍍膜為Cr，第二層鍍膜為銀。?

進(jìn)一步的，所述晶片為薄片狀二氧化硅。?

進(jìn)一步的，所述晶片以膠粘的方式固定在所述基座上。?

進(jìn)一步的，所述晶片上的副電極引出端和主電極引出端通過依次粘接有導(dǎo)電面膠和導(dǎo)電底膠與所述基座固定。?

本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型提供的一種晶體振蕩器，區(qū)別于現(xiàn)有的晶體振蕩器中晶片上的鍍膜主電極長(zhǎng)×寬＝2.2mm×1.2mm，其電阻平均值偏大，溫度特性不能滿足要求，影響晶體振蕩器的工作性能的問題。本實(shí)用新型提供一種長(zhǎng)度為2.2-2.3mm，寬度為1.6-1.7mm范圍的鍍膜主電極晶片，晶片上鍍膜主電極的面積設(shè)定能夠使所述晶體振蕩器具有優(yōu)良的溫度特性，在保證電阻值小的同時(shí)又能很好的符合溫度特性的要求。本實(shí)用新型所述的晶體振蕩器選取最佳的鍍膜面積，降低生產(chǎn)成本，能夠很好的提升晶體振蕩器的良品率，更好的適應(yīng)電子市場(chǎng)的需求。?

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例一種晶體振蕩器中晶片的結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖3為長(zhǎng)方形鍍膜主電極面積為2.4*1.5的晶體振蕩器的溫度特性曲線圖；?

圖4為長(zhǎng)方形鍍膜主電極面積為2.2*1.6的晶體振蕩器的溫度特性曲線圖。?

標(biāo)號(hào)說明?

1-基座；2-晶片；3-長(zhǎng)方形鍍膜主電極；4-副電極引出端；?

5-主電極引出端。?

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下?結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說明。?

本實(shí)用新型最關(guān)鍵的構(gòu)思在于：晶體振蕩器中晶片的鍍膜主電極面積的長(zhǎng)度為2.2-2.3mm，寬度為1.6-1.7mm，最佳的鍍膜面積使晶振具有優(yōu)良的溫度特性，且電阻值小，良品率高，更好的適應(yīng)市場(chǎng)需求。?

請(qǐng)參閱圖1以及圖2，本實(shí)用新型提供一種晶體振蕩器，包括晶片2和基座，所述基座上固設(shè)有所述晶片2；所述晶片2上設(shè)有長(zhǎng)方形鍍膜主電極3，以及主電極引出端5和副電極引出端4；所述主電極引出端5和副電極引出端4位于所述晶片2的周邊，所述主電極引出端5與主電極相連；?

所述長(zhǎng)方形鍍膜主電極3的長(zhǎng)度為2.2-2.3mm，寬度為1.6-1.7mm。?