[實(shí)用新型]一種可控硅保護(hù)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420396597.1 | 申請日: | 2014-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN203951460U | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 仇正勇 | 申請(專利權(quán))人: | 溫嶺資發(fā)半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/14 | 分類號: | H03K19/14 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 317500 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 可控硅 保護(hù) 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及可控硅技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,特別涉及一種用于防止可控硅誤觸發(fā)的保護(hù)電路。
背景技術(shù)
可控硅是電力電子控制技術(shù)中的常用器件,多用于實(shí)現(xiàn)負(fù)載的控制,其具有運(yùn)行可靠、方便等特點(diǎn)。可控硅在使用時均需要設(shè)置防止誤觸發(fā)的電路,以防止可控硅誤觸發(fā)而導(dǎo)致電路不能正常工作。在現(xiàn)有技術(shù)中,比如公開號為CN?202817725?U,公開日為2013年3月20日所公開的實(shí)用新型專利,公開號為CN?201234243?Y,公開日為2009年5月6日所公開的實(shí)用新型專利等。
故而,為了可控硅的正常使用,設(shè)計和研究一種可靠性高、構(gòu)造簡單的防止可控硅誤觸發(fā)的保護(hù)電路是本領(lǐng)域技術(shù)人員所研究的方向。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種可靠性高、構(gòu)造簡單的用于防止可控硅誤觸發(fā)的可控硅保護(hù)電路。?
為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下:
一種可控硅保護(hù)電路,包括具有初級繞組和次級繞組的變壓器,與變壓器的初級繞組連接的開關(guān)電路,與變壓器的次級繞組連接的濾波電路,與濾波電路連接的光耦隔離電路,及雙向可控硅,所述雙向可控硅的控制極與光耦隔離電路的輸出端連接。
優(yōu)選地,所述開關(guān)電路包括第一三極管和第一電阻,所述第一三極管的集電極與變壓器的初級繞組一端連接,其基極與第一電阻連接,其發(fā)射極以及變壓器的初級繞組另一端連接于一輸入電源的兩端。
優(yōu)選地,所述濾波電路包括濾波電容及穩(wěn)壓二極管,所述變壓器的次級繞組一端還與一二極管的陽極連接,所述濾波電容連接于變壓器的次級繞組另一端與二極管的陰極之間,所述穩(wěn)壓二極管與濾波電容并聯(lián)。
優(yōu)選地,所述光耦隔離電路包括光耦、第二電阻、第二三極管及上拉電阻,所述光耦的輸入端陽極與濾波電路連接,其輸入端陰極與第二三極管的集電極連接,其輸出端集電極與雙向可控硅的控制極連接,其輸出端發(fā)射極接地;所述上拉電阻的一端連接有電源,另一端與光耦的輸出端集電極連接;所述第二三極管的基極與第二電阻連接,其發(fā)射極接地。
優(yōu)選地,所述第一三極管和第二三極管均為NPN型三極管。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:
本實(shí)用新型采用了開關(guān)電路控制變壓器的工作,通過光耦隔離電路將濾波電路與雙向可控硅隔離,再通過控制光耦隔離電路的通斷以實(shí)現(xiàn)雙向可控硅的可靠工作,避免了雙向可控硅的誤觸發(fā),?具有可靠性高、構(gòu)造簡單的優(yōu)點(diǎn)。
附圖說明
為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本實(shí)用新型所述可控硅保護(hù)電路的框架圖。
圖2是本實(shí)用新型所述可控硅保護(hù)電路的具體電路圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述,以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解,從而對本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
實(shí)施例
參閱圖1所示,本實(shí)施例提供的一種可控硅保護(hù)電路,包括具有初級繞組N0和次級繞組N1的變壓器T1,與變壓器T1的初級繞組N0連接的開關(guān)電路1,與變壓器T1的次級繞組N1連接的濾波電路2,與濾波電路2連接的光耦隔離電路3,及雙向可控硅TR1,其中,雙向可控硅TR1的控制極與光耦隔離電路3的輸出端連接。
本實(shí)施例中可控硅保護(hù)電路的基本原理為:采用開關(guān)電路1控制變壓器T1工作,通過光耦隔離電路將濾波電路2與雙向可控硅TR1隔離,再通過控制光耦隔離電路3的通斷以實(shí)現(xiàn)雙向可控硅TR1的可靠工作,避免了雙向可控硅TR1的誤觸發(fā),該可控硅保護(hù)電路具有可靠性高、構(gòu)造簡單等優(yōu)點(diǎn)。
參閱圖2所示,本實(shí)施例中的開關(guān)電路1包括第一三極管Q1和第一電阻R1,其中,第一三極管Q1的集電極與變壓器T1的初級繞組N0一端連接,其基極與第一電阻R1連接,其發(fā)射極以及變壓器T1的初級繞組N0另一端連接于一輸入電源VIN的兩端。
本實(shí)施例中的濾波電路2包括濾波電容C1及穩(wěn)壓二極管ZD1,其中,變壓器T1的次級繞組N1一端還與一二極管D1的陽極連接,濾波電容C1連接于變壓器T1的次級繞組N1另一端與二極管D1的陰極之間,穩(wěn)壓二極管ZD1與濾波電容C1并聯(lián)。
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