[實用新型]一種石墨烯硅太陽電池有效
| 申請號: | 201420395094.2 | 申請日: | 2014-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN204102912U | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發明(設計)人: | 李鋼 | 申請(專利權)人: | 山東力諾太陽能電力股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 濟南舜源專利事務所有限公司 37205 | 代理人: | 于曉曉 |
| 地址: | 250103 山東省濟南*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 太陽電池 | ||
1.一種石墨烯硅太陽電池,其特征在于,由上而下依次包括以下結構:正面金屬電極、氮化硅薄膜、石墨烯薄膜、N型硅薄層、P型硅基體和背面金屬電極構成。
2.?根據權利要求1所述的一種石墨烯硅太陽電池,其特征在于,正面金屬電極穿透氮化硅薄膜和石墨烯薄膜與N型硅薄層接觸。
3.?根據權利要求2所述的一種石墨烯硅太陽電池,其特征在于,正面金屬電極為Ag電極。
4.?根據權利要求2所述的一種石墨烯硅太陽電池,其特征在于,氮化硅薄膜厚度為80-90nm。
5.?根據權利要求4所述的一種石墨烯硅太陽電池,其特征在于,石墨烯薄膜為一層以上。
6.?根據權利要求5所述的一種石墨烯硅太陽電池,其特征在于,石墨烯薄膜厚度為1-10nm。
7.?根據權利要求6所述的一種石墨烯硅太陽電池,其特征在于,N型硅薄層擴散方阻為80-100歐姆,結深0.2-0.5μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





