[實用新型]用于溫測組件的晶圓級封裝結構有效
| 申請號： | 201420391490.8 | 申請日： | 2014-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN203967072U | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發明（設計）人： | 姜崇義;邱云貴 | 申請（專利權）人： | 佳霖科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 張晶;王瑩 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 組件 晶圓級 封裝 結構 | ||
1.一種用于溫測組件的晶圓級封裝結構，其特征在于：包括：
晶圓蓋體，以紅外線可穿透的材料所構成，所述晶圓蓋體具有多個封裝墻，且所述多個封裝墻在所述晶圓蓋體形成多個第一凹槽；以及
基板，包含多個芯片區、多個焊接區以及多個接腳區，所述多個芯片區分別設置溫測芯片且分別對應所述多個第一凹槽，所述多個焊接區與所述多個封裝墻相對應地焊接，使得所述多個芯片區與所述多個第一凹槽分別形成多個真空密封空間，而所述多個接腳區被切割以形成多個溫測組件封裝件。
2.根據權利要求1所述的晶圓級封裝結構，其特征在于：所述紅外線可穿透的材料包含鍺。
3.根據權利要求1所述的晶圓級封裝結構，其特征在于：所述多個封裝墻包含多個封裝環，而每個所述封裝環所圍的區域對應每個所述芯片區，而每個所述封裝環的環墻對應每個所述焊接區。
4.根據權利要求1所述的晶圓級封裝結構，其特征在于：每個所述焊接區包含測試電路。
5.根據權利要求1所述的晶圓級封裝結構，其特征在于：每個所述焊接區包含凹狀結構，所述凹狀結構形狀對應每所述封裝墻的形狀。
6.根據權利要求1所述的晶圓級封裝結構，其特征在于：每個所述接腳區分別透過所述焊接區的下方與所述溫測芯片電性連接。
7.根據權利要求1所述的晶圓級封裝結構，其特征在于：每個所述封裝墻為多層墻結構。
8.根據權利要求7所述的晶圓級封裝結構，其特征在于：每個所述焊接區包含凹狀結構，所述凹狀結構的形狀對應每個所述封裝墻的所述多層墻結構的形狀。
9.一種用于溫測組件的晶圓級封裝結構，其特征在于：包括：
晶圓蓋體，以紅外線可穿透的材料所構成，所述晶圓蓋體具有多個封裝墻，且所述多個封裝墻在所述晶圓蓋體形成多個第一凹槽；以及
基板，包含多個像素區、多個焊接區以及多個接腳區，所述多個像素區分別設置至少一個溫測芯片的多個像素且分別對應所述多個第一凹槽，所述多個焊接區與所述多個封裝墻相對應地焊接，使得所述多個像素區與所述多個第一凹槽分別形成多個真空密封空間，而所述多個接腳區被切割以形成多個溫測組件封裝件。
10.根據權利要求9所述的晶圓級封裝結構，其特征在于：所述紅外線可穿透材料包含鍺。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佳霖科技股份有限公司，未經佳霖科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420391490.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種多芯片瞬態電壓抑制器
- 下一篇：快速改善晶硅太陽電池光致衰減的量產裝置
