[實用新型]雙振膜共用一磁回結構的喇叭

有效

• 申請號: 201420387165.4
• 申請日: 2014-07-14
• 公開（公告）號: CN204119458U
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 李秉彧
• 申請（專利權）人: 富祐鴻科技股份有限公司
• 主分類號: H04R1/20
• 分類號: H04R1/20
• 代理公司: 天津三元專利商標代理有限責任公司 12203
• 代理人: 鄭永康

1.一種雙振膜共用一磁回結構的喇叭，包括：

一支架；

一磁回結構，其包括一第一導磁軛，設在該支架上，以及至少一第一磁鐵單元，設在該第一導磁軛上；

一第一振膜，設在該磁回結構上方；

一第一音圈，其頂緣連接在該第一振膜的底緣面，且對應設于該第一磁鐵單元的外周緣；

其特征在于：

該磁回結構下方相向對應于該第一振膜，還設有一第二振膜，且該第二振膜大于該第一振膜；

一第二磁鐵單元，設在該第一磁鐵單元的外周緣；

一第二音圈，其底緣連接在該第二振膜的上緣面，且位于該磁回結構中，該第二磁鐵單元的外周緣所形成的磁間隙中；以及

一音箱，結合在該支架外周緣，并位于該磁回結構下方，其內形成一預定容積的腔室，供該第二振膜完全容置于該腔室之中；

借此，使高音的該第一振膜位于該音箱外部，低音的該第二振膜位于該音箱內部，以內、外雙振膜共用一磁回結構，以形成具有高、低音的雙喇叭架構。

2.根據權利要求1所述的雙振膜共用一磁回結構的喇叭，其特征在于，所述第一導磁軛呈一板體，該第一及第二磁鐵單元皆設在該第一導磁軛上，其中該第一磁鐵單元設在該第一導磁軛中間，該第二磁鐵單元環設在該第一磁鐵單元的外周緣，且該第一磁鐵單元外周緣與該第二磁鐵單元內周緣形成一第一磁間隙，供該第一音圈容置其中；該第二磁鐵單元外周緣與一具有環邊形的第二導磁軛的內環壁形成一第二磁間隙，供該第二音圈容置其中。

3.根據權利要求1所述的雙振膜共用一磁回結構的喇叭，其特征在于，所述第一導磁軛呈一板體，該第一及第二磁鐵單元皆設在該第一導磁軛上，其中該第一磁鐵單元設在該第一導磁軛中間，該第二磁鐵單元環設在該第一磁鐵單元的外周緣，且該第一磁鐵單元外周緣與該第二磁鐵單元內周緣形成一第一磁間隙，供該第一音圈容置其中；且還于該第二磁鐵單元的外側環設一第三磁鐵單元，該第二磁鐵單元及第三磁鐵單元上，設有一板形的第三導磁軛，且該第二磁鐵單元外周緣與該第三磁鐵單元內周緣形成一第二磁間隙，供該第二音圈容置其中。

4.根據權利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結構的喇叭，其特征在于，所述第一振膜的中心部設成向上凸狀，及該第二振膜的中心部設成向下凸狀。

5.根據權利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結構的喇叭，其特征在于，所述第一振膜的中心部設成向上凸狀，及該第二振膜的中心部設成向上凹狀。

6.根據權利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結構的喇叭，其特征在于，所述第一振膜及該第二振膜的中心部設成平狀。

7.根據權利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結構的喇叭，其特征在于，所述第一磁鐵單元上還設有一第四導磁軛，該第一振膜的中心部是貼合于該第四導磁軛，形成左右兩個半圓凸起狀，及該第二振膜的中心部設成向下凸狀。

8.根據權利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結構的喇叭，其特征在于，所述磁回結構的中心部呈中空狀。

9.根據權利要求8所述的雙振膜共用一磁回結構的喇叭，其特征在于，所述中空狀由一管狀物所構成，該管狀物上緣與該第一振膜連接。

10.根據權利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結構的喇叭，其特征在于，所述支架上還設有一個以上的氣孔，及該音箱結構上還設有一個以上的小通孔。

11.根據權利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結構的喇叭，其特征在于，所述音箱內部填塞有吸音材質。