[實用新型]一種帶藍寶石襯底的垂直LED芯片結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420385392.3 | 申請日： | 2014-07-14 |
| 公開（公告）號： | CN203983320U | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林宇杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海博恩世通光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201108 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 藍寶石 襯底 垂直 led 芯片 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種帶藍寶石襯底的垂直LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
藍寶石襯底；
發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，結(jié)合于所述藍寶石襯底表面，包括N型層、量子阱層及P型層，且所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)去除了周側(cè)區(qū)域的P型層及量子阱層，露出該周側(cè)區(qū)域的N型層；
P電極，結(jié)合于所述P型層表面；
絕緣層，結(jié)合于所述P型層表面、及P型層與量子阱層側(cè)壁；
透明導(dǎo)電層，包覆于所述藍寶石襯底、N型層側(cè)壁及所述周側(cè)區(qū)域的N型層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶藍寶石襯底的垂直LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述N型層為N-GaN層，所述量子阱層為InGaN/GaN多量子阱層，所述P型層為P-GaN層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶藍寶石襯底的垂直LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：去除了所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)周側(cè)區(qū)域的P型層及量子阱層后，所保留的P型層及量子阱層的形狀包括矩形、圓形或三角形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶藍寶石襯底的垂直LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣層為二氧化硅層，其厚度為1000?！?0000埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶藍寶石襯底的垂直LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層包括ITO薄膜或ZnO薄膜，其厚度為100?！?0000埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶藍寶石襯底的垂直LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層與N型層側(cè)壁及所述周側(cè)區(qū)域的N型層的接觸方式為歐姆接觸。
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