[實用新型]一種垂直溝道恒流二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420380488.0 | 申請日： | 2014-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN204577402U | 公開（公告）日： | 2015-08-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 肖步文 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫信榮電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 垂直 溝道 二極管 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種垂直溝道恒流二極管，其特征在于襯底為N-型硅單晶襯底（1），N-型硅單晶襯底（1）正面有兩個P+擴散區(qū)（2），兩個P+擴散區(qū)之間有一個N+擴散區(qū)（3），表面有絕緣氧化層（4），并分別在P+擴散區(qū)（2）和N+擴散區(qū)（3）開有窗口，P+擴散區(qū)（2）和N+擴散區(qū)（3）通過窗口與負(fù)電極金屬（5）相連接，N-型硅單晶襯底（1）背面有P+注入層（6）與正電極金屬（7）連接。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
