[實用新型]一種寬頻帶低損耗懸置結構的功率分配器有效
| 申請號: | 201420372365.2 | 申請日: | 2014-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN203967224U | 公開(公告)日: | 2014-11-26 |
| 發明(設計)人: | 陳家輝;鐘名慶 | 申請(專利權)人: | 成都玖信科技有限公司 |
| 主分類號: | H01P5/12 | 分類號: | H01P5/12 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610045 四川省成都市武*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 寬頻 損耗 懸置 結構 功率 分配器 | ||
技術領域
本實用新型涉及電子領域,尤其涉及一種寬頻帶低損耗懸置結構的功率分配器。
背景技術
功率分配器主要在微波通信、電子對抗、雷達、導航、測試、儀器測量等領域用于功率分配、合成(在用作功率合成時也叫做功率合成器),天線和饋線網絡等系統中。
功率分配器,簡稱功分器,目前在國內和國際上常用作為功分器設計的結構主要是采用微帶結構(Micro-strip),也叫做威爾金森(Wilkinson)功分器和微帶功分器,該種結構適合寬帶設計、設計成熟、布局合理較為大部分設計師所采用;次之是采用帶狀線結構(Strip-line),由于該結構的優缺點都相對明顯,綜合指標不如微帶適用,故通常設計均采用微帶式結構設計。
微帶(Micro-strip)型結構,如圖1所示。微帶類功分器,該結構(一面為空氣15、一面為有損介質11,傳輸線12位于有損介質11上,?14為地,13為接地面)在設計高頻(微波、毫米波段)時隨著頻率的增加、損耗(對信號的衰減)會愈來愈大、即對信號功率的影響會很大,用在系統中對系統指標的影響也是會很大。
實用新型內容
針對現有技術存在的上述問題,本實用新型提出一種寬頻帶低損耗懸置結構的功率分配器,以解決上述問題。
本實用新型的解決方案如下:
??一種寬頻帶低損耗懸置結構的功率分配器,所述功率分配器包括:傳輸線、地和傳輸介質;所述功率分配器還包括傳輸線的支撐,傳輸線的支撐位于功率分配器的中間;所述傳輸線位于所述傳輸線的支撐的一面或另一面;所述傳輸線的支撐與地形成的空間內為傳輸介質。
??優選的,所述傳輸介質為空氣。
??進一步優選的,所述傳輸線的支撐為基片。
??所述功分器還包括接地面,所述傳輸線的支撐的兩端均與地接觸,形成接地面,接地面與地接觸連接。
??優選的,所述傳輸介質為傳輸線的支撐?。
??進一步優選的,所述功分器還包括接地面,所述傳輸線的支撐的兩端均與地接觸,形成接地面,接地面與地接觸連接。
??所述功率分配器的適用頻率為0GHz-50GHz,所述功率分配器為N路。
本實用新型具有以下優點:
適用頻率寬,可用于頻率為0GHz-50GHz的N路功率分配。插入損耗損耗低,適用頻率寬。對功率分配器的電氣性能參數進行大幅的提升。
附圖說明
圖1為微帶型基片結構。
圖2為懸置型基片結構。
圖3為微帶型基片結構實現的功率分配器;
A-基片正面圖形,B-基片背面圖形。
圖4為懸置型基片結構實現的一種寬頻帶低損耗功率分配器;
A-基片正面圖形,B-基片背面圖形。
具體實施方式
下面結合實施方式及附圖對本實用新型作進一步詳細、完整地說明。
本專利給出了一種寬頻帶低損耗懸置結構的功率分配器,主要是將功分器(功率分配器可簡稱為功分器)內部的基片以及基片上的傳輸線懸置在上下均為空氣的介質中,因為空氣相對于所有的傳輸介質來說是最好的傳輸介質,傳輸線對所傳輸的信號衰減小,故能這樣的結構能減小功分器的傳輸損耗。如圖2所示,寬頻帶低損耗懸置結構的功率分配器:傳輸線的支撐23位于功率分配器的中間,傳輸線的支撐23與地24形成的空間,所形成的空間內為傳輸介質25。具體可為:傳輸線的支撐23上下皆為傳輸介質25;中間有基片或者介質作為傳輸線的支撐23;這里傳輸介質25優選為空氣。懸置基片功分器結構中使用單面傳輸線22、雙面基片接地24。即傳輸線22的正面是空氣、背面是傳輸線的支撐23、傳輸線的支撐23的背面是空氣,作為傳輸線的支撐23的基片的兩邊和兩面均為接地面21,接地面21與地24直接相連接。在這里,單面傳輸線式是指只能在基片的正面或者背面有傳輸線22,不能兩面同時都有傳輸線22。采用上述懸置基片型結構的功能器適用頻率為0GHz-50GHz,且可以設計為N路功分器使用。
下面為了更清楚的說明本實用新型的優點,這里通過用傳統的微帶型結構以及本實用新型提出的寬頻帶低損耗懸置結構的功率分配器的具體實施例進行比較說明。
設計一個頻率范圍為0.5GHz-18GHz的2路功分器。
具體技術指標要求為:
頻率范圍:??0.5-18GHz,
插入損耗:??4.7dB?max,
幅度不平度:?0.5dB?max,
相位不平度:??±5°max,
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