[實用新型]發射電極掃描電路、陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201420370042.X | 申請日: | 2014-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN204029332U | 公開(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發明(設計)人: | 譚文;祁小敬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/36 | 分類號: | G09G3/36;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發射 電極 掃描 電路 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種發射電極掃描電路,其特征在于,包括多個級聯的子掃描電路,每一個子掃描電路包括移位寄存單元、掃描信號生成單元和驅動輸出單元;其中:?
所述移位寄存單元,用于對接收到的起始信號進行移位得到下一級子掃描電路的起始信號以及發射電極驅動控制信號,并將下一級子掃描電路的起始信號輸出到下一級子掃描電路的移位寄存單元,將得到的發射電極驅動控制信號輸出到所述掃描信號生成單元;?
所述掃描信號生成單元,與發射電極驅動信號線相連,用于根據從所述移位寄存單元接收到的發射電極驅動控制信號和從所述發射電極驅動信號線接收到的發射電極驅動信號生成發射電極掃描信號,并將得到的發射電極掃描信號輸入到所述驅動輸出單元的掃描信號輸入端;?
所述驅動輸出單元,用于將接收到的發射電極掃描信號的高電平轉換為發射電極驅動高電平,將所述發射電極掃描信號的低電平轉換為發射電極驅動高電平,并輸出到發射電極。?
2.如權利要求1所述的發射電極掃描電路,其特征在于,所述移位寄存單元還用于將發射電極驅動控制信號的反相信號輸出到所述掃描信號生成單元;?
所述掃描信號生成單元包括五個薄膜場效應晶體管,其中第一薄膜場效應晶體管和第二薄膜場效應晶體管為P溝道型薄膜場效應晶體管,第三薄膜場效應晶體管、第四薄膜場效應晶體管和第五薄膜場效應晶體管為N溝道型薄膜場效應晶體管;并且,?
第一薄膜場效應晶體管和第五薄膜場效應晶體管的柵極接入發射電極驅動控制信號的反相信號;第一薄膜場效應晶體管的源極接入偏置高電平,漏極與第二薄膜場效應晶體管的源極相連;第五薄膜場效應晶體管的源極與所述掃描信號生成單元的輸出端相連,漏極接入?偏置低電平;?
第二薄膜場效應晶體管和第四薄膜場效應晶體管的柵極均與發射電極驅動信號線相連;第二薄膜場效應晶體管的漏極連接到所述掃描信號生成單元的輸出端;第四薄膜場效應晶體管的源極接入偏置低電平,漏極接入第三薄膜場效應晶體管的源極;?
第三薄膜場效應晶體管的柵極接入發射電極驅動控制信號,漏極與所述掃描信號生成單元的輸出端相連。?
3.如權利要求1所述的發射電極掃描電路,其特征在于,?
所述移位寄存單元還用于將發射電極驅動控制信號的反相信號輸出到所述掃描信號生成單元;?
所述掃描信號生成單元包括五個薄膜場效應晶體管,其中第一薄膜場效應晶體管和第二薄膜場效應晶體管為P溝道型薄膜場效應晶體管,第二薄膜場效應晶體管、第三薄膜場效應晶體管、第四薄膜場效應晶體管為N型溝道薄膜場效應晶體管;并且,?
第一薄膜場效應晶體管和第三薄膜場效應晶體管的柵極均與發射電極驅動信號線相連;第一薄膜場效應晶體管的源極接入偏置高電平,漏極與第二薄膜場效應晶體管的源極相連;第三薄膜場效應晶體管的源極與第四薄膜場效應晶體管的源極相連,漏極與所述掃描信號生成單元的輸出端相連;?
第二薄膜場效應晶體管和第五薄膜場效應晶體管的柵極接入發射電極驅動控制信號的反相信號;第二薄膜場效應晶體管的漏極與所述掃描信號生成單元的輸出端相連;第五薄膜場效應晶體管的源極接入偏置低電平,漏極與所述掃描信號生成單元的輸出端相連;?
第四薄膜場效應晶體管的柵極接入發射電極驅動控制信號,源極接入偏置低電平。?
4.如權利要求1所述的發射電極掃描電路,其特征在于,?
所述掃描信號生成單元包括一個與非門和一個反相器;所述與非?門的一個輸入端與發射電極驅動信號線相連,另一輸入端接入發射電極驅動控制信號,輸出端接入到反相模塊的輸入端;反相模塊的輸出端接入到所述掃描信號生成單元的輸出端。?
5.如權利要求4所述的發射電極掃描電路,其特征在于,所述驅動輸出單元包括:兩個傳輸門,?
其中,第一傳輸門的正控制端、第二傳輸門的負控制端均接入發射電極掃描信號;第一傳輸門的負控制端和第二傳輸門的正控制端均接入發射電極掃描信號的反相信號;?
第一傳輸門和第二傳輸門的輸出端均與所述發射電極相連;第一傳輸門的電壓輸入端連接到發射電極驅動低電平,第二傳輸門的電壓輸入端接入發射電極驅動高電平。?
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