[實用新型]生長在W襯底上的LED外延片有效
| 申請號： | 201420368773.0 | 申請日： | 2014-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN203983319U | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發明（設計）人： | 李國強;王文樑;劉作蓮;楊為家;林云昊;周仕忠;錢慧榮 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 陳文姬 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 襯底 led 外延 | ||
【權利要求書】：
1.生長在W襯底上的LED外延片，其特征在于，包括生長在W襯底上的AlN緩沖層，生長在AlN緩沖層上的非摻雜GaN層，生長在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN薄膜，生長在n型摻雜GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生長在InGaN/GaN量子阱上的p型摻雜GaN薄膜；
所述AlN緩沖層為在400～500℃生長的AlN緩沖層；所述非摻雜GaN層為在500～700℃生長的非摻雜GaN層；所述n型摻雜GaN薄膜為在700～800℃生長的n型摻雜GaN薄膜；所述InGaN/GaN量子阱為在700～800℃生長的InGaN/GaN量子阱；所述p型摻雜GaN薄膜為在700～800℃生長的p型摻雜GaN薄膜。
2.根據權利要求1所述的生長在W襯底上的LED外延片，其特征在于，所述W襯底以(110)面為外延面。
3.根據權利要求1所述的生長在W襯底上的LED外延片，其特征在于，所述AlN緩沖層的厚度為80～100nm；所述非摻雜GaN層的厚度為2～4μm；所述n型摻雜GaN薄膜的厚度為3～5μm；所述InGaN/GaN量子阱為7～10個周期的InGaN阱層/GaN壘層，其中InGaN阱層的厚度為2～3nm；GaN壘層的厚度為10～13nm；所述p型摻雜GaN薄膜的厚度為300～400nm。
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