[實用新型]一種芯片保護結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420365691.0
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN203941895U
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 錢進;張賀豐
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/31
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片保護結(jié)構(gòu)至少包括：

硅基底以及形成于所述硅基底上的至少一集成電路芯片；

形成于所述硅基底上并環(huán)繞所述集成電路芯片的金屬封閉環(huán)和緊密排布于所述金屬封閉環(huán)中的若干氧化物單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬封閉環(huán)為層疊結(jié)構(gòu)，該層疊結(jié)構(gòu)由若干金屬層以及隔離相鄰所述金屬層的絕緣介質(zhì)構(gòu)成；所述氧化物單元形成于所述層疊結(jié)構(gòu)的每一金屬層中；所述每一金屬層中的氧化物單元的排布構(gòu)成圍繞所述集成電路芯片的環(huán)形陣列；相鄰金屬層中的所述環(huán)形陣列彼此水平投影重合；相鄰的金屬層通過位于層間絕緣介質(zhì)中的貫孔彼此電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述層疊結(jié)構(gòu)中金屬層的層數(shù)最多為八層；所述金屬封閉環(huán)包括橢圓環(huán)、圓環(huán)或矩形環(huán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述若干氧化物單元的形狀相同；所述若干氧化物單元的形狀包括多邊形、圓形或橢圓形。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬封閉環(huán)的形狀為矩形；所述氧化物單元的形狀為均勻排布于所述金屬封閉環(huán)每條邊的正六邊形或正方形。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬封閉環(huán)的每一邊設(shè)有均勻分布的至少兩列所述氧化物單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述氧化物單元為兩列，該兩列氧化物單元中每個正六邊形或正方形與其相鄰的正六邊形或正方形距離最近的邊彼此相對且平行。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述氧化物單元為兩列，該兩列氧化物單元的形狀為正六邊形，矩形金屬封閉環(huán)中相互平行的兩組邊中的其中一組邊上的兩列氧化物單元交錯排布；另一組邊上的兩列氧化物單元呈對齊排列。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述氧化物單元為三列，形狀為均勻排布于所述金屬封閉環(huán)每條邊的正六邊形，每列中所述氧化物單元的頂角位于同一條直線上。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述氧化物單元為兩列，形狀為均勻排布于所述金屬封閉環(huán)每條邊的正方形，該兩列的正方形彼此交錯分布。