[實用新型]長晶爐使用之鎢坩堝修整裝置有效
| 申請號: | 201420362147.0 | 申請日: | 2014-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN204039495U | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發明(設計)人: | 劉崇志;周斌;鐘其龍;王曉靁;劉伯彥 | 申請(專利權)人: | 廈門潤晶光電有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/14 |
| 代理公司: | 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203 | 代理人: | 李寧 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市火炬*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 長晶爐 使用 坩堝 修整 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體和LED的技術領域,特別與長晶爐使用之鎢坩堝修整裝置。
背景技術
目前,人工寶石生產中,用來承載原料的坩堝材質主要是鎢,由于鎢的熔點高(超過3400℃),有良好的高溫強度,對熔融堿金屬和蒸氣有良好的耐蝕性能,用來做為人工寶石生產的原料承載器是相當適合的。
鎢坩堝的制作過程主要是使用鎢粉裝料壓模成型,并經過高溫燒結,此種制程在材料生產過程中并不熔化材料,也就不怕混入由坩堝和脫氧劑等帶來的雜質,而燒結一般在真空和還原氣氛中進行,不怕氧化,也不會給材料任何污染,并能保證材料成分配比的正確性和均勻性。
但由于使用過程中,鎢在1000℃以上會出現氧化物揮發,這會造成鎢壁逐漸因使用次數而變薄,而薄到一定程度后,其保溫效果會變差,又影響加熱器化料的能力,導致加熱器必須提供更高的功率,而此部分會造成能耗的損失。而鎢坩堝在重復使用之后,由于揮發造成的孔洞問題,會導致其脆化,易造成鎢坩堝開裂的問題,進而導致使用周期縮短,并且生產成本增高。
實用新型內容
針對上述的問題,本實用新型提供一種長晶爐使用之鎢坩堝修整裝置,以修補因重復使用變薄的鎢坩堝,讓變薄的坩堝壁加厚,回復其原本之保溫效果,減少能耗的問題。
為了達成上述目的,本實用新型的解決方案是:
長晶爐使用之鎢坩堝修整裝置,包括反應室、加熱器和反應氣管;反應室具CVD(chemical?vapor?deposition化學蒸汽沉積)腔體,反應室的上方安裝反應氣管,反應氣管的一端伸露在CVD腔體外用于連接供氣管,而反應氣管的另一端伸入CVD腔體內且該端上開設若干氣孔,反應室的下方開設排廢口,排廢口通過管道連接至泵;加熱器置于CVD腔體中,加熱器安裝在由電機帶動旋轉的柱子上,加熱器上具有供坩堝旋轉的置物臺。?
所述反應氣管的另一端呈倒T型,倒T型的橫管和豎管上都開設若干氣孔。
所述反應室上還安裝RF功率產生器。
采用上述方案后,本實用新型借助化學氣相沉積(CVD)來修補因重復使用變薄的鎢坩堝,不僅可以讓W原子進入坩堝填補因揮發造成的孔洞,減少坩堝壁開裂的機會,大大延長了使用周期,同時,讓變薄的坩堝壁加厚,回復其原本的保溫效果,減少能耗的問題,生產成本降低。
附圖說明
圖1是本實用新型裝置的結構示意圖。
具體實施方式
如圖1所示,本實用新型揭示了長晶爐使用之鎢坩堝修整裝置,包括反應室1、加熱器2和反應氣管3。
反應室1具CVD(chemical?vapor?deposition化學蒸汽沉積)腔體。
反應室1的上方安裝反應氣管3,反應氣管3的一端伸露在CVD腔體外用于連接供氣管(常規構件,圖中未示出),而反應氣管3的另一端伸入CVD腔體內且該端上開設若干氣孔31。為了達到最佳反應效果,反應氣管3的另一端呈倒T型,倒T型的橫管和豎管上都開設若干氣孔31。反應室1的下方開設排廢口11,排廢口11通過管道連接至泵(常規構件,圖中未示出)。
加熱器2置于CVD腔體中,加熱器2安裝在由電機(常規構件,圖中未示出)帶動旋轉的柱子21上,加熱器2上具有供坩堝5旋轉的置物臺。通過加熱器2旋轉,使鎢成長時可以均勻的沉積在坩鍋的表面,提升鎢化學氣相沉積均勻度。
反應室1上還可以進一步安裝RF功率產生器4,此RF功率產生器4是現有技術設備,這樣,在腔體內形成交變電場,在交變電場的作用下氣體揮發放電呈等離子態,提升修整效果。
長晶爐使用之鎢坩堝修整方法,其步驟如下:
第一步,將需修補的坩堝放進反應室的CVD腔體中,并放置在加熱器的置物臺上;
第二步,在需修補的坩堝盛裝WF6,并將反應氣管的另一端伸入WF6中,使反應氣管上的氣孔浸在WF6中;
第三步,將CVD腔體抽真空,至100Pa﹤P﹤0.1MPa;
第四步,將加熱器加熱至600~800℃;
第五步,由反應氣管向CVD腔體供氣SiH4,使氣體SiH4與WF6反應,產生鎢沉積薄膜并修補鎢坩堝;
具體反應如下:
SiH4浸泡時的反應:SiH4?→?Si?+?H2
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





