[實用新型]一種背接觸太陽能電池有效
| 申請號: | 201420360768.5 | 申請日: | 2014-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN203941923U | 公開(公告)日: | 2014-11-12 |
| 發明(設計)人: | 劉運宇;王栩生;章靈軍 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L27/142;H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;張海英 |
| 地址: | 215011 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 接觸 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及光電設備技術領域,尤其涉及一種背接觸太陽能電池。
背景技術
太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能的裝置。太陽能電池主要是以半導體材料為基礎,其工作原理是利用光電材料吸收光能后發生光電于轉換反應,根據所用材料的不同,太陽能電池可分為:1、硅太陽能電池;2、以無機鹽如砷化鎵III-V化合物、硫化鎘、銅銦硒等多元化合物為材料的電池;3、功能高分子材料制備的太陽能電池;4、納米晶太陽能電池等。
常規太陽能電池是正反面分別制備正負電極柵線和焊接電極。由于焊接電極較寬,因而對入射光有較大的遮擋,影響電池的效率。全背接觸電池IBC則需要壽命非常高的N型硅片,以保證載流子在復合前擴散到結區。
對比文件(CN200910080050.4)中同性電極在同一面的面板上依次排列,基于同性排斥的原理,其電荷在收集時容易散失;同時位于太陽能電池光照正面的焊接電極會遮擋部分光照,影響整體太陽能電池的工作。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提出一種背接觸太陽能電池,能夠提高電荷的收集效率,并改善焊接電極阻擋陽光的問題。
為達此目的,本實用新型采用以下技術方案:
一種背接觸太陽能電池,包括:基片,所述基片包括基片背面和基片正面,所述基片正面和基片背面上均分布有PN結;
所述基片正面設置有正面第一電極柵線,所述基片背面分布有背面第一電極柵線和第二電極柵線,且兩者電性相反;所述背面第一電極柵線和第二電極柵線交錯分布,所述正面第一電極柵線和背面第一電極柵線相對于基體交錯分布;
所述基片背面還設有第一焊接電極和第二焊接電極,所述第二焊接電極連接第二電極柵線,所述第一焊接電極分別連接背面第一電極柵線和正面第一電極柵線。
其中,所述基片上還設置有對應正面第一電極柵線的通孔,所述正面第一電極柵線沿通孔至基片背面,并與基片背面上的背面第一焊接電極相連接。
其中,所述基片背面上的第一焊接電極設置在第二焊接電極的相對側。
其中,所述對應正面第一電極柵線的通孔分散在正面第一電極柵線的一端。
其中,所述對應正面第一電極柵線的通孔分散在基片的邊緣。
其中,對應正面第一電極柵線的所述通孔均勻分布在基片上。
其中,所述基片正面分布有整面PN結,基片背面分布有局部PN結。
其中,所述背面第一電極柵線和第二電極柵線在基片背面上的分布呈平行交錯。
其中,所述背面第一電極柵線和第二電極柵線在基片背面上的分布呈放射狀交錯。
其中,所述正面第一電極柵線位于第二電極柵線的正上方。
本實用新型的有益效果是:通過在電池雙面設置PN結以及電極柵線的交錯分布,最大限度的減小電荷橫向擴散,有助于電荷的收集,使得制備的太陽能電池不受硅片導電類型的限制,都能實現良好的電流收集;通過在基體上或者邊緣開設通孔,使得和正面第一電極柵線和背面第一電極柵線相連接的第一焊接電極全部位于基體的背面,減少了現有技術中因第一焊接電極設置在基片正面而對入射光形成遮擋,有利于組件的串聯,提高了電池的效率。
附圖說明
圖1是本實用新型具體實施方式1提供的背接觸太陽能電池的正面示意圖;
圖2是本實用新型具體實施方式1提供的背接觸太陽能電池的背面示意圖;
圖3是本實用新型具體實施方式2提供的背接觸太陽能電池的正面示意圖;
圖4是本實用新型具體實施方式2提供的背接觸太陽能電池的背面示意圖。
圖中:
1、基片;2、基片正面;3、基片背面;4、背面第一電極柵線;5、第二電極柵線;6、通孔;7、第二焊接電極;8、第一焊接電極;9、正面第一電極柵線。
具體實施方式
下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術方案。
實施例1
如圖1-2所示,一種背接觸太陽能電池,包括:基片1,所述基片1包括基片背面3和基本正面2,所述基片1不受硅片導電類型的限制,可以是P型硅片,也可以是N型硅片。所述基片正面2和基片背面3上均分布有PN結。所述基片正面2分布有整面PN結,基片背面3分布有局部PN結。
所述基片正面設置有正面第一電極柵線9,所述基片背面3分布有背面第一電極柵線4和第二電極柵線5,且兩者電性相反,所述背面第一電極柵線4和第二電極柵線5交錯分布。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





