[實用新型]一種D類功率放大器的輸出級電路

有效

• 申請號: 201420359608.9
• 申請日: 2014-07-01
• 公開（公告）號: CN203933551U
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 韋林軍;徐冬艷;程學農;呂永康;孔美萍;張殿軍
• 申請（專利權）人: 無錫華潤矽科微電子有限公司
• 主分類號: H03F3/217
• 分類號: H03F3/217
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅

1.一種D類功率放大器的輸出級電路，其包括第一功率開關和第二功率開關，所述第一功率開關和第二功率開關依次串聯于電源端和接地端之間，第一功率開關和第二功率開關之間的連接節點與所述輸出級電路的輸出端相連，其特征在于，其還包括驅動電路、第一信號線組和第二信號線組，

所述驅動電路包括第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端和第二輸出端，第一輸入端用于接收第一控制信號，第二輸入端用于接收第二控制信號，

所述第一功率開關包括多個MOS晶體管，每個MOS晶體管的第一連接端和第二連接端分別與電源端和輸出級電路的輸出端相連；所述第一信號線組包括多路柵信號線，每路柵信號線與所述第一功率開關中的一個MOS晶體管唯一對應，所述第一信號線組中的每路柵信號線的一端與所述第一輸出端相連，另一端與該路柵信號線唯一對應的MOS晶體管的柵極相連，

所述第二功率開關包括多個MOS晶體管，每個MOS晶體管的第一連接端和第二連接端分別與輸出級電路的輸出端和接地端相連；所述第二信號線組包括多路柵信號線，每路柵信號線與所述第二功率開關中的一個MOS晶體管唯一對應，所述第二信號線組中的每路柵信號線的一端與所述第一輸出端相連，另一端與該路柵信號線對應的MOS晶體管的柵極相連。

2.根據權利要求1所述的D類功率放大器的輸出級電路，其特征在于，

第一功率開關和第二功率開關中的MOS晶體管均為NMOS晶體管，所述NMOS晶體管的第一連接端為漏極，其第二連接端為源極。

3.根據權利要求1所述的D類功率放大器的輸出級電路，其特征在于，

所述第一功率開關中的MOS晶體管為NMOS晶體管，該NMOS晶體管的第一連接端為漏極，其第二連接端為源極；所述第二功率開關中的MOS晶體管為PMOS晶體管，該PMOS晶體管的第一連接端為漏極，其第二連接端為源極。

4.根據權利要求2或者3所述的D類功率放大器的輸出級電路，其特征在于，所述第一信號線組中的多路柵信號線長度相等；所述第二信號線組中的多路柵信號線長度相等。

5.根據權利要求2或者3所述的D類功率放大器的輸出級電路，其特征在于，所述驅動電路包括第一驅動單元和第二驅動單元，

所述第一驅動單元用于放大所述第一控制信號并將放大后的第一控制信號通過所述第一輸出端輸出；所述第二驅動單元用于放大所述第二控制信號將放大后的第二控制信號通過所述第二輸出端輸出。

6.根據權利要求5所述的D類功率放大器的輸出級電路，其特征在于，

所述第一驅動單元包括依次串聯的第一NMOS晶體管和第一PMOS晶體管，第一NMOS晶體管和第一PMOS晶體管的柵極都與所述第一輸入端相連，第一NMOS晶體管和第一PMOS晶體管之間的連接節點與所述第一輸出端相連；

所述第二驅動單元包括依次串聯的第二NMOS晶體管和第二PMOS晶體管，第二NMOS晶體管和第二PMOS晶體管的柵極都與所述第二輸入端相連，第二NMOS晶體管和第二PMOS晶體管之間的連接節點與所述第一輸出端相連。

7.根據權利要求1所述的D類功率放大器的輸出級電路，其特征在于，

所述第一控制信號和第二控制信號之間設置有死區時間，該死區時間為控制第一功率開關和第二功率開關同時為關斷的時間。