[實用新型]有源濾波器低開關損耗電路結構

有效

• 申請號: 201420358087.5
• 申請日: 2014-07-01
• 公開（公告）號: CN203911483U
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 王城鈞;宿迎九;劉挺;劉斌;于淼
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;國網遼寧省電力有限公司沈陽供電公司
• 主分類號: H02J3/01
• 分類號: H02J3/01
• 代理公司: 沈陽亞泰專利商標代理有限公司 21107
• 代理人: 史旭泰

技術領域

本實用新型屬于三相有源濾波技術領域，尤其涉及一種有源濾波器低開關損耗電路結構。

背景技術

電能是現代社會不可缺少的重要能源。供電系統中電能的質量受到非線性負載的影響，不可避免的產生諧波電流，降低能源利用效率，損害電力設備。諧波抑制裝置主要有無源濾波器和有源濾波器。其中三相有源濾波器較無源濾波器具有更好的諧波補償性能，但造價較高。

作為利用電力電子器件進行諧波補償的裝置，三相有源濾波器具有很高的開關頻率。傳統的三相有源濾波器對諧波電流進行補償時，由于中低次諧波電流幅值較大，現有技術所使用的補償電流調制方法，不會考慮功率管所承受的電壓與通過的電流的大小對開關損耗的影響。這樣，當通過電流較大，承受電壓較高時，有源濾波器開關損耗明顯，容易造成設備的損壞。

發明內容

本實用新型就是針對上述問題，提供一種補償精度好的有源濾波器低開關損耗電路結構。

為實現上述目的，本實用新型采用如下技術方案，本實用新型有源濾波器低開關損耗電路結構包括IGBT三相逆變橋、MOSFET三相逆變橋和電容，其結構要點IGBT三相逆變橋包括第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第五IGBT、第六IGBT，MOSFET三相逆變橋包括第一MOSFET、第二MOSFET、第三?MOSFET、第四MOSFET、第五MOSFET、第六MOSFET，其結構要點第一IGBT集電極、第二IGBT集電極、第三IGBT集電極、第一MOSFET漏極、第二MOSFET漏極、第三?MOSFET漏極、電容一端相連，第四IGBT發射極、第五IGBT發射極、第六IGBT發射極、第四MOSFET源極、第五MOSFET源極、第六MOSFET源極、電容另一端相連；第一IGBT發射極、第四IGBT集電極、第一電感一端相連，第二IGBT發射極、第五IGBT集電極、第二電感一端相連，第三IGBT發射極、第六IGBT集電極、第三電感一端相連，第一電感另一端與交流電壓源Usa一端相連，第二電感另一端與交流電壓源Usb一端相連，第三電感另一端與交流電壓源Usc一端相連，電壓源Usa另一端、電壓源Usb另一端、電壓源Usc另一端相連接地。

所述第一MOSFET源極、第四MOSFET漏極、第四電感一端相連，第二MOSFET源極、第五MOSFET漏極、第五電感一端相連，第三MOSFET源極、第六MOSFET漏極、第六電感一端相連，第四電感另一端與A相諧波源相連，第五電感另一端與B相諧波源相連，第六電感另一端與C相諧波源相連。

作為一種優選方案，本實用新型所述第一IGBT集電極與第一二極管陰極相連，第一二極管陽極與第一IGBT發射極相連；第二IGBT集電極與第二二極管陰極相連，第二二極管陽極與第二IGBT發射極相連；第三IGBT集電極與第三二極管陰極相連，第三二極管陽極與第三IGBT發射極相連；第四IGBT集電極與第四二極管陰極相連，第四二極管陽極與第四IGBT發射極相連；第五IGBT集電極與第五二極管陰極相連，第五二極管陽極與第五IGBT發射極相連；第六IGBT集電極與第六二極管陰極相連，第六二極管陽極與第六IGBT發射極相連。

本實用新型有益效果。

本實用新型有源濾波器低開關損耗電路結構兩個三相逆變橋共用同一個直流側電容，其中一側功率管具有較高的開關速度，用于補償幅值小的高次諧波電流，另一側功率管為常規功率管，用于補償幅值大的中低次諧波電流；開關頻率低但能通過大電流的功率管補償剩余的中低次諧波電流，能夠更好的發揮功率管的特性，解決現有補償電流調制方法無法降低有源濾波器開關損耗的問題。

由于開關管的開關損耗主要受開關管動作時刻所通過電流和開關次數決定，所以在開關管動作的時刻，通過電流越大，開關損耗越大。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型做進一步說明。本實用新型保護范圍不僅局限于以下內容的表述。

圖1是本實用新型中有源濾波器的電路結構圖。

具體實施方式