[實用新型]一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420357600.9
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN204029807U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張家祥;姜曉輝;閻長江
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，非晶硅(α-Si)技術(shù)和低溫多晶硅(Low?Temperature?Poly-silicon，簡稱：LTPS)技術(shù)應(yīng)用較為廣泛。其中，隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，LTPS技術(shù)憑借其高效能和高清晰的特點，得到了越來越廣泛的應(yīng)用。

對于LTPS結(jié)構(gòu)，漏電流的大小是一個重要指標。漏電流過大造成驅(qū)動電壓無法保持，會出現(xiàn)顯示方面的不良。目前，減小LTPS漏電流的方法是采用雙柵或多柵結(jié)構(gòu)，例如圖1所示的雙柵結(jié)構(gòu)。雖然通過采用多個柵極，能夠有效降低溝道中的電場分布，減少熱載流子效應(yīng)并抑制泄漏電流。但是柵極一般采用導(dǎo)電性能較好的金屬材料，例如鉬或鉬鋁合金等，這些材料本身不透光。所以采用雙柵或多柵結(jié)構(gòu)不利于開口率的提高。

實用新型內(nèi)容

本實用新型提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板和顯示裝置，不但降低了漏電流的產(chǎn)生，還提高了面板的開口率。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，包括：基板；設(shè)置在所述基板上的多晶硅有源層；設(shè)置在所述有源層上的第一絕緣層；設(shè)置在所述第一絕緣層上的多個柵極和柵線；設(shè)置在所述柵極上的第二絕緣層；設(shè)置在所述第二絕緣層上的源極、漏極和數(shù)據(jù)線；以及與所述漏極電連接的像素電極；所述源極覆蓋所述多個柵極。

優(yōu)選的，所述陣列基板的有源層下方還設(shè)置有緩沖層。

優(yōu)選的，所述陣列基板的多個柵極為2至5個。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括與所述像素電極同層設(shè)置的公共電極。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述像素電極上方的第三絕緣層，以及設(shè)置在所述第三絕緣層上的狹縫狀公共電極。

優(yōu)選的，所述陣列基板的第二絕緣層為樹脂材料。

優(yōu)選的，所述第二絕緣層的厚度為1.5-2.0μm。

本實用新型提供一種顯示裝置，包括上述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。

本實用新型具有以下有益效果：將柵極多柵結(jié)構(gòu)集成在源極線正下方，不但提高了面板的開口率，還減小了漏電流。在柵極和源漏極之間增加介電常數(shù)小的樹脂層，避免了因柵極與源極信號線重疊產(chǎn)生的耦合電容，從而降低了漏電流的產(chǎn)生。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中雙柵結(jié)構(gòu)陣列基板的平面圖；

圖2A是本實用新型陣列基板第一實施例的平面圖；

圖2B是圖2A中A-B向的剖面圖；

圖3A是本實用新型陣列基板第一實施例第一次構(gòu)圖工藝的平面圖；

圖3B是圖2A中A-B向的剖面圖；

圖4A是本實用新型陣列基板第一實施例第二次構(gòu)圖工藝的平面圖；

圖4B是圖3A中A-B向的剖面圖；

圖5A是本實用新型陣列基板第一實施例第三次構(gòu)圖工藝的平面圖；

圖5B是圖4A中A-B向的剖面圖；

圖6A是本實用新型陣列基板第一實施例第四次構(gòu)圖工藝的平面圖；

圖6B是圖4A中A-B向的剖面圖；

圖7A是本實用新型陣列基板第一實施例第五次構(gòu)圖工藝的平面圖；

圖7B是圖6A中A-B向的剖面圖；

圖8A是本實用新型陣列基板第一實施例第六次構(gòu)圖工藝的平面圖；

圖8B是圖7A中A-B向的剖面圖；

圖9A是本實用新型陣列基板第一實施例第七次構(gòu)圖工藝的平面圖；

圖9B是圖8A中A-B向的剖面圖。

附圖標識說明：

1.基板；2.有源層；3.第一絕緣層；4.第二絕緣層；5.源極；6.漏極；7.柵極；8.像素電極；9.第三絕緣層；10.公共電極

具體實施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本實用新型提供的陣列基板和顯示裝置進行詳細描述。

實施例一：

實施例一提供了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。如圖2A和2B所示，其中圖2A為實施例一陣列基板的俯視圖，圖2B為圖2A沿A-B方向的剖面圖。實施例一的陣列基板包括：基板1；設(shè)置在基板1上的多晶硅有源層2；設(shè)置在有源層2上的第一絕緣層3；設(shè)置在第一絕緣層3上的多個柵極7和柵線；設(shè)置在柵極7上的第二絕緣層4；設(shè)置在第二絕緣層4上的源極5、漏極6和數(shù)據(jù)線以及與所述漏極6電連接的像素電極8；所述源極5覆蓋所述多個柵極7。

如圖2B所示，所述多個柵極為3個。將柵極多柵結(jié)構(gòu)集成在源極線正下方，提高了面板的開口率。