[實(shí)用新型]一種帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420356860.4
• 申請日: 2014-07-01
• 公開（公告）號: CN204067418U
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張黎;賴志明;陳棟;陳錦輝
• 申請（專利權(quán)）人: 江陰長電先進(jìn)封裝有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/50;H01L33/58
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 彭英

1.一種帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)，其包括硅基本體（1）、帶有若干個芯片電極（21）的LED芯片（2）和填充物Ⅱ（52），所述硅基本體（1）的上表面設(shè)有下凹的型腔（12），所述型腔（12）的底部表面設(shè)有絕緣層Ⅰ（13），所述LED芯片（2）倒裝于型腔（12）的底部，所述填充物Ⅱ（52）填充型腔（12），

其特征在于：所述絕緣層Ⅰ（13）的表面設(shè)有選擇性不連續(xù)排布的上層再布線金屬反射層Ⅰ（311）和上層再布線金屬反射層Ⅱ（312），所述上層再布線金屬反射層Ⅰ（311）和上層再布線金屬反射層Ⅱ（312）的表面設(shè)置金屬柱（22），所述LED芯片（2）的芯片電極（21）通過金屬柱（22）分別與上層再布線金屬反射層Ⅰ（311）和上層再布線金屬反射層Ⅱ（312）連接，所述上層再布線金屬反射層Ⅰ（311）與上層再布線金屬反射層Ⅱ（312）于相鄰的所述芯片電極（21）之間斷開，

所述型腔（12）的下方設(shè)置有若干個硅通孔（11），所述硅通孔（11）設(shè)置于LED芯片（2）的垂直區(qū)域之外，且其上端口不大于其下端口，

所述硅通孔（11）的內(nèi)壁和硅基本體（1）的下表面設(shè)置絕緣層Ⅱ（14），所述絕緣層Ⅱ（14）于硅通孔（11）的頂部形成開口（15），所述開口（15）向上貫穿絕緣層Ⅰ（13），且露出上層再布線金屬反射層Ⅰ（311）和上層再布線金屬反射層Ⅱ（312）的下表面，所述絕緣層Ⅱ（14）的表面設(shè)置不連續(xù)排布的下層再布線金屬層Ⅰ（321）、下層再布線金屬層Ⅱ（322）、下層再布線金屬層Ⅲ（323），所述下層再布線金屬層Ⅰ（321）、下層再布線金屬層Ⅱ（322）一端覆蓋硅通孔（11），并通過開口（15）分別與上層再布線金屬反射層Ⅰ（311）、上層再布線金屬反射層Ⅱ（312）對應(yīng)連接，其另一端形成輸入/輸出端（3211、3221），?

所述下層再布線金屬層Ⅲ（323）位于LED芯片（2）的正下方，且與下層再布線金屬層Ⅰ（321）、下層再布線金屬層Ⅱ（322）隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬柱（22）的個數(shù)不止兩個。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括填充物Ⅰ（51），所述填充物Ⅰ（51）填充LED芯片（2）與上層再布線金屬反射層Ⅰ（311）、上層再布線金屬反射層Ⅱ（312）之間的空間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述下層再布線金屬層Ⅰ（321）、下層再布線金屬層Ⅱ（322）除輸入/輸出端（3211、3221）外的剩余表面覆蓋保護(hù)層（6）。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述填充物Ⅱ（52）的上表面呈凸面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED芯片（2）的發(fā)光面涂覆熒光物質(zhì)（4）或于填充物Ⅱ（52）內(nèi)混合熒光物質(zhì)（4）。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：在所述填充物Ⅱ（52）的上表面涂覆熒光物質(zhì)（4）。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述熒光物質(zhì)（4）的表面設(shè)置透鏡（53）。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述硅基本體（1）的型腔（12）的上沿整體設(shè)有臺階（121），所述臺階（121）有若干級，所述熒光物質(zhì)（4）填充臺階（121）所在的水平區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的帶有熱電分離結(jié)構(gòu)的圓片級LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述熒光物質(zhì)（4）的表面設(shè)置透鏡（53）。